si基gan材料寄生导电层的研究 study on parasitic conductive layer in gan on si substrate.pdfVIP

第33卷 第4期 固体电子学研究与进展 V01．33，No．4 3 201 Aug．，201 3年8月 RESEARCHPROGRESSOFSSE 首≯99≯∥9、 1宽禁带半导体l pef、，F，。d—e}’J Si基GaN材料寄生导电层的研究 倪金玉“ 李忠辉 孔 岑 周建军 陈堂胜 郁鑫鑫 (南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室．南京，210016) 20l 3-05—09收稿．201305—26收改稿 摘要：通过对si基(jaN材料的电学性能进行测量分析，确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了 寄生导电层对si基(jaN高电