soi-ldmos器件改善电安全工作区后驼峰现象的研究 the research on hump phenomenon after improving electrical safe operating area of soi-ldmos.pdfVIP

第32卷 第3期 固体电子学研究与进展 V01．32．No．3 2012年6月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Jun．，2012 SOI—LDMOS器件改善电安全工作区后 驼峰现象的研究+ 霍昌隆” 刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京，210096) 201l一12—29收稿，2012—02-13收改稿 峰现象(hurap)。首先将驼峰现象出现后器件的源端总电流分成电子电流与空穴电流单独分析，确定高栅压下电子 电流阶梯上升是驼峰现象产生的表面原因，进而通过仿真分析出Kirk效应导致的空穴电流在表面漂移区中电导 调制是驼峰现象产生的根本原因。最后，根据对驼峰现象的分析，设计出新器件结构成功消除了驼峰现象，为今后 不同类型LDMOS器件改善，一y曲线驼峰现象提供了理论指导。 关键词：电安全工作区；驼峰现象；Kirk效应；电导调制 中图分类号：TN