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第6章 无机材料电导
5.1 电导的物理现象;-+UIISIV瓷体电极U+-;IS瓷 体测量电极环电极高压;5.1.2 载流子的物理特征(;5.1.3 迁移率和导电率的一;载流子的迁移率的物理意义为:载;(1) 根据传导离子种类: ;类型特性及应用银离子导体卤化物;快离子相的概念固体从非传导态进;以Ag+为例, (2)的物理图;决定快离子导体中离子导电性的主;? 固体电解质既保持固态特点,;???????????????;六方密堆积的晶格导电通道截畴袍;本征导电------晶格点阵上;热缺陷的运动产生和复合一方面,;涉及到的概念: P------;P2 ------一个填隙原子;NaClKClKBr离解正离子;E2 1)填隙离子的电导A ;? 根据波尔兹曼统计在温度T;C 在外电场存在时,间隙离子;设 ?;每跃迁一次间隙离子移动距离a,;当电场强度不太大时, exp(;电导率?=nq? ;杂质离子浓度远小于晶格格点数;;晶体 B ;空位势场空位每秒可???过势垒的次;能斯脱---爱因斯坦方程:在材;总电流密度 : ;1. ?-Al2O3基碱金属;尖晶石区镜面镜面ABCA密堆基;C轴ACBAABCAACBA单;?-Al2O3固体电解质为两相;掺杂离子离子半径中间相稳定性电;离子M+-O间距激活能(eV);离子ac?cNa+5.5942;2. 萤石型结构氧离子占据阳;电解质10000C时离子的电导;ZrO2 - CaO系统离子扩;低能密度------电池在低电;tV特性曲线-+ 含;2. 钠-硫电池应用于高放电;3. Na离子传感探头 - ;4. 高温燃料电池O2O2;温度0C70010002000;7. 氧泵埃奎灶抢巩镐随篓鞘;电阻: ;在外电场E的作用下,金属中的自;散射:电子与晶体中的声子、杂质;1. 电离杂质的散射+—2.;3. 其它因素引起的散射(3;玻璃与晶体的比较,玻璃具有: ;玻璃离子电导率与碱金属浓度的关;以K2O、Li2O为例说明双碱;压碱效应:含碱金属玻璃中加入二;导电的原因:在其中存在大量的悬;5.4.2 多晶多相材料的电导;5.5.1 半导体中的缺陷能;SiSiSiSiSiSiSiS;杂质电离:正电中心磷离子对多余;(2) 受主杂质 受主;2. 氧化物中缺陷能级 ;(1) 价控半导体陶瓷杂质;反应式如下:Ba2+Ti 4+;— — — — — — — —;化学计量配比的化合物分子式: ;阳离子空位形成的缺陷能级受主能;化学计量配比的化合物分子式: ;氧离子空位形??的缺陷能级 ;化学计量配比的化合物分子式: ;— — ;5.5.2 p-n 结1)合;合金结的杂质分布:NDNAN(;NDNA (x)N(x)xp ;多数载流子:n型半导体中的电子;3. p-n结能带图及载流;空间电荷区内电势由 n?p;(2) p-n结载流子的分布;平衡载流子: 在一定温度下,半;(1) 光照npnp+_En;光生伏特效应:1)用能量等于或;正偏压np+—E内电场(2) ;3)负压过大,势垒很大,能带弯;5. 金属与半导体的接触(1);半导体的功函数:?为电子的亲和;(2) 整流接触? ? ? ;n半导体EF? ? ;Wm Ws?S - WmWS;(3) 欧姆接触也称为非整流;重掺杂的p-n结可以产生显著的;5.5.3 半导体陶瓷的物理效;表面能级及表面能带结构表面能级;Mn+ On-pn陶瓷材;表面空间电荷层:在金属中,自由;表面势为负值时,表面处能带向上;当表面势为正值时,表面处能带向;在2)的基础上,表面处能带进一;压敏效应:对电压变化敏感的非线;(2) PTC效应PTC效;表面效应:半导体表面吸附气体时;例如:一般具有氧化性的分子(如;气敏理论模型
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