沟槽型vdmos源区的不同制作方法研究 research on several manufacturing methods of src area of trench vdmos.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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沟槽型vdmos源区的不同制作方法研究 research on several manufacturing methods of src area of trench vdmos

10.3969/j.issn.1003-353x.2011.11.006 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究马万里赵文魁深圳方正微电子，广东深圳518116 摘要：沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求，源极区域必须与p型体区短接，为了达到此目的，传统的做法是，源极需要进行一次光刻，在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块，然后再进行源区注入。提出几种其他的制作方式，可以省去源区光刻，但同样可以达到原来的目的。诸如，通过刻蚀Si孔将源区与p型体区短接；或者利用刻蚀出的沟槽侧壁做屏蔽进行源区注入；利用凸出沟槽的多晶硅做屏蔽进行源区注入。这些办法都可简化工艺流程，缩短制造周期，节约制造成本，增强器件可靠性，提高产品的竞争力。沟槽；垂直双扩散晶体管；源极；单脉冲雪崩击穿能量；硅孔 TN405 A 1003-353X (2011) 11-0840-04 ResearchonSeveralManufacturingMethodsofSRCAreaof TrenchVDMOS MaWanli ZhaoWenkui j互鄹 2011年11月 [疆蜀 @@[1]尹力，文光俊.高功率微波功率合成技术研究进展 [C]//四川省电子学会高能电子学专业委员会第四届学术交流会论文集.北京，中国，2010:165-172 @@[2] AnsoftSerademanual[K].AnsoftCorporation,USA, 2003:S,71. @@[3] TAHARAY,OH-HASHIH,TOTANIK,etal.Alow lossserialpowercombinerusingnovelsuspendedstripline couplers[J].IEICETransactionElectron,2005,E88- C(1):39-42. 2011-04-04 由利人(1967-),男，山东龙口人，工程师，研究方向为电路与系统。 @@[1]李意，尹华达.功率MOSFET雪崩击穿问题分析 [J].电源技术应用，2003，6(12):685-688. @@[2] 陈开宇，刘佩林.尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响[J].半导体技术，2008，33(8):680-682 @@[3]袁寿财.全自对准双掩模槽栅IGBT设计与样品制备 [J].半导体光电,2008，29(2):203-207. @@[4]张丽，庄奕琪.关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究 [J].电子器件，2005，28(1)： 105-109 2011-05-18 马万里(1979-)，男，河南焦作人,硕士，现从事集成电路工艺、器件可靠性研究，目前以第一发明人，已申请国家专利近20项，发表论文散篇。