new 第五章 气相沉积技术.pptVIP

1. 形核 ①蒸气流和基片碰撞，一部分被反射，一部分被吸附。 ②沉积原子碰撞，形成簇团(cluster)。 ③当原子数超过某一临界值时就变为稳定核。 2. 长大 ①稳定核通过捕获入射原子的直接碰撞而长大。 ⑤继续生长，和临近的稳定核合并，进而变成连续膜。 影响蒸镀薄膜质量的因素 1. 基体表面状态 ① 表面清洁度→不洁表面会使膜基结合力↓ ② 基体温度 →T↑,有利于膜基结合力↓ ↘ ↘T↓，有利于膜的凝聚成核 → 矛盾 ③ 晶体结构 →膜基晶体结构相近，有利于薄膜的形核长大。 2. 真空度 ①高真空→高纯薄膜；原子碰撞几率↓，能耗↓ →结合力↑ ②低真空→因碰撞原子能量低，易 形成低能原子团→薄膜组织粗大， 致密度↓，表面粗糙度↑ 3. 蒸发源与基体表面的距离 近水楼台先得月 均镀能力不强→通过工件旋转弥补 原理： 电阻丝直接加热镀膜材料（或蒸发器皿加热、或通过坩埚加热镀膜材料）→蒸发→沉积。 优点：设备简单 缺点： ① 坩埚污染或灯丝污染 ② 蒸发温度小于1500?C，不能用于高熔点成膜材料。 ③ 加热蒸发速度慢 几乎已被淘汰 原理： 利用高频感应直接加热镀膜材料→蒸发→沉积 优点： ①五坩埚污染， ②得到的膜层纯净且不受带电粒子的损害。 缺点： ①尽管加热速度比电阻法快，但仍不足够快。 ②不能对坩埚进行去气 ③温度仍不足够高 原理： 电子束对坩埚内材料直接加热→蒸发→沉积。 优点：①结构简单，电源设备小，便于应用。 ②加热快，无坩埚污染。 ③偏转装置可避免灯丝与蒸发流接触产生电弧。同时避免灯丝被污染。 ④能量集中，温度高，因此这种蒸发源对高、低熔点的膜料都能适用，尤其适合蒸发熔点高达2000?C左右的氧化物。 缺点：设备复杂，投资大 原理： 运用高功率激光束，聚焦照射到蒸镀材料的表面→蒸发→沉积 优点： ①由于激光束的能量密度高，可以加热蒸发高熔点镀膜材料，如陶瓷材料等。 ②能够实现化合物的蒸发沉积且不会产生分馏现象。 缺点： ①激光蒸镀法的局限性在于出光窗口容易受到污染而影响透光性能 ②设备复杂，投资大 原理： 把镀料作成颗粒状或粉末状，再一点点地注入高温蒸发源中，使蒸发物质在蒸发源上瞬间蒸发。这种方法保证了制备的薄膜成分与镀料相同。 优点：当合金和化合物中的组元蒸发速度相差很大时， 用闪蒸法可得到符合化学计量比得薄膜。 缺点：蒸镀室结构复杂，送料需要精确控制，为达到完全合金化和均匀化，多数需要蒸镀后进行热处理。 ⑴ 在高电压作用下，阴极靶发出电子高速飞向阳极。 ⑵ 高速电子撞击气体分子，产生辉光放电，气体离化。 ⑶ 离化后的气体离子（正离子）冲向阴极靶，将靶材中的原子溅射出来。 ⑷ 溅射出来的靶材原子在工件表面沉积成膜。 右图为二极溅射示意图 三极溅射 1. 原理 ⑴ 有三个电极，即热阴极(灯丝)、阳极和靶。 ⑵ 热阴极专门发射电子，电离几率增大，低气压也能维持放电。 ⑶ 外加磁场使等离子体被约束在阴极与阳极之间的圆柱体内。 ⑷ 当靶加上负电压后，将吸引正离子，从而产生溅射并成膜。 2. 特点 ⑴ 溅射气压低(约10-1~10-2Pa)和溅射电压低。产生辉光靠热阴极。 ⑵ 基片温度低，因无高速电子撞击。 ⑶ 不能使用大面积靶来产生均匀的薄膜。 磁控溅射 1. 原理 电场和磁场的方向相互垂直。正交电磁场可以有效地将电子的运动束缚在靶面附近，增加了电子同工作气体分子的碰撞几率，使等离子体密度加大，致使磁控溅射速率有数量级的提高。 2. 特点 ⑴ 基片温度低→无高速电子冲撞，等离子体被束缚在靶附近，不与基片接触。 ⑵ 沉积速率高→与蒸镀相近。 ⑶ 适宜于大面积镀膜。 ⑷ 不适宜溅射绝缘靶。 射频溅射 1. 阴极溅射的问题 阴极溅射只能沉积金属膜，不能沉积介质膜。是因为轰击介质靶材表面的离子电荷无法中和，于是靶面电位不断升高，外加电压几乎都加在靶上，极间的离子加速与电离就会变小，直至放电停止，溅射也就不可能了。 2. 射频溅射原理 利用高频电磁辐射来维持低气压(约2.5?10-2Pa)的辉光放电。阴极安置在紧贴介质靶材的后面，在一个周期内正离子和电子可