无机化学第7章幻灯片.ppt

自测题 1. 估计下列物质中属于分子晶体的是（ ）。 (A) BBr3，熔点－46℃ ； (B) KI，熔点880℃ ； (C) Si，熔点1423℃ ； (D) NaF，熔点995℃ 。 2. 下列晶体熔化时，只需克服色散力的是（ ）。 (A) Ag (B) NH3 (C) SiO2 (D) CO2 3. AgI在水中的溶解度比AgCl小，主要是由于（ ）。 (A) 晶格能AgCl＞AgI (B) 电负性Cl＞I (C) 变形性Cl-＜I- (D) 极化力Cl-＜I- 4. 如果正离子的电子层结构类型相同，在下述情况中极化力较大的是（ ）。 (A) 离子的半径大、电荷多 (B) 离子的半径小、电荷多 (C) 离子的半径大、电荷少 (D) 离子的半径小、电荷少　 5. 由于NaF的晶格能较大，所以可以预测它的（ ）。 (A) 溶解度小 (B) 水解度大 (C) 电离度小 (D) 熔、沸点高 7-5-1金属晶体的内部结构 7-5-1 混合型晶体 晶体内同时存在着若干种不同的作用力，具有若干种晶体的结构和性质，这类晶体称为混合型晶体。 如　石墨 335pm 142pm C原子以sp2杂化，键角为120?，形成无数个正六边形组成的平面，平面相互平行。 每个C 原子剩下的一个p 电子形成大π键。 石墨层与层之间的结合力较弱，各层较易 滑动，因而可用作铅笔芯和润滑剂。 7-5-2实际晶体的缺陷及其影响 7-5-2实际晶体的缺陷及其影响 如果晶体内部每个粒子的排列完全符合其排列规律，称其为理想晶体。但实际上是不可能形成的，形成时在内部结构上总会出现这样那样的缺陷。 结晶时，由于微晶体晶面取向不可能完全相同，使得长成的晶体外形发生不规则变化。 结晶时，若某个晶面吸附了杂质，使长成的晶体外形也可发生变化。 空 晶体点缺陷的基本类型： 　　　空穴缺陷、置换缺陷、间充缺陷 间充 置换 空穴 空穴缺陷：晶体内某些晶格结点位置上缺 少粒子，出现空穴。 置换缺陷：晶格结点上的某些粒子被少量 　　　　　别的粒子取代。 间充缺陷：组成晶体粒子的堆积空隙处， 　　　　　　　　　被外来粒子所填充。 晶体中的缺陷对晶体的物理性质、 　　　　　　化学性质产生一定的影响。 如　纯铁中加入少量C或某些金属， 　　　可制得各种性能的优质合金钢 纯锗中加入微量Ga或As， 可强化其半导体性能 7-5-３实际晶体的键型变异 7-5-3 实际晶体的键型变异 实际晶体中, 各结点粒子间的结合力, 只有少 数属于纯粹离子键、共价键、金属键或分子间 力。多数晶体属于混合键型或过渡键型。 NaF Na2O MgF2 Na3P MgO AlF3 NaPb3 Mg3P2 Al2O3 SiF4 Na2Tl Mg2Si AlP SiO2 PF5 NaHg2 Mg3Al2 — SiP2 P2O5 SF6 Na — Mg — Al — Si — P — S — F 离子键 金属键 共价键 键型过渡现象又称键型变异 第六节离子极化对物质性质影响 第七章 固体结构与性质 第六节 离子极化对物质性质影响 无机化学多媒体电子教案 有些物质，离子电荷相同，离子半径极 为相近，性质上差别却很大。如 离子电荷 +1 +1 难溶于水 96 Cu+ CuCl 易溶于水 95 Na+ NaCl 溶解性 r+/pm 说明影响离子晶体的性质 　　除了离子电荷、离子半径外， 　　还有离子的电子构型。 7-6-1离子的电子构型 7-6-1 离子的电子构型 简单阴离子的电子构型：ns2np6 8电子构型 Sn2+、Sb3+、Bi3+ 18+2 (n-1)s2(n-1)p6 (n-1)d10 ns2 Ag+、Zn2+ 、Cd2+ Hg2+ 18 ns2 np6 nd10 Cr3+、Mn2+ Fe2+、Fe3+ 、Cu2+ 9~17 ns2 np6 nd1-9 Na+、Mg2+ Al3+、Sc3+ 、Ti4+ 8(稀有气体型) ns2 np6 Li+、Be2+ 2(稀有气体型) 1s2 实　例 离子电子构型 阳离子外电子层 电子分布式 7-6-2 离子极化概念 7-6-2 离子极化概念 离子极化 －　　　　　　　　＋ ＋ － ＋ － + _ + _ 对于孤立的简单离子来说，离子电荷分布基本上是球形对称的，离子本身的正、负电荷中心重合, 不存在偶极。 电场中，离子的原子核和电子受电场的作用，离子会发生变形, 产生诱导偶极，这种过程称为离子极化。 离子极化 离子晶体中,都是带电的粒子,本身就会在其 周围产生电场,而使周围邻近的离子极化,