料近代测试方法 第五章：表面成分分析.pptVIP

图9 不同价态的镍氧化物的Ni MVV俄歇谱 图10 不同价态的镍氧化物的Ni LMM俄歇谱 * 实验结果 下面我们再分析一下其相邻原子的电负性差对俄歇化学位移的影响。 图(11)和图(12)是化合价相同但电负性差不同的含硅化合物的Si LVV和Si KLL俄歇谱[5,10]。从图(11)可知, Si3N4的Si LVV俄歇动能为80.1 eV, 俄歇化学位移为-8.7 eV。而SiO2的Si LVV的俄歇动能为72.5 eV, 俄歇化学位移为-16.3 eV。Si KLL俄歇谱图同样显示出这两种化合物中Si俄歇化学位移的差别。Si3N4的俄歇动能为1610.0 eV, 俄歇化学位移为-5.6 eV。SiO2的俄歇动能为1605.0 eV, 俄歇化学位移-10.5 eV. * 实验结果 图11 电负性差对Si LVV谱的影响 图12 电负性差对Si KLL谱的影响 * 实验结果 图13是几种氧化物的O KLL俄歇谱, 从图上可见，O KLL俄歇电子能量与氧化物的组成有很大关系。SiO2的O KLL俄歇动能为502.1 eV, 而TiO2的则为508.4 eV，其数值与PbO2的O KLL俄歇动能相近(508.6 eV)。 图13 原子驰豫势能效应对O KLL谱的影响 * 实验结果 虽然在这些氧化物中氧都是以负二价离子O-2存在, 相应的电负性差也相近, 氧元素上的有效电荷