宽带低相位噪声cmos环型压控振荡器的设计与研究 the comparison and design of a wide-band, low-phase-noise cmos voltage controlled oscillator.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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宽带低相位噪声cmos环型压控振荡器的设计与研究 the comparison and design of a wide-band, low-phase-noise cmos voltage controlled oscillator.pdf

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宽带低相位噪声cmos环型压控振荡器的设计与研究 the comparison and design of a wide-band, low-phase-noise cmos voltage controlled oscillator

No．5 第33卷第5期电子器件 V01．33 Chinese ofElectronDe,ices 2010年10月 Journal Oct．2010 The and ofa Comparison Design CMOS ControlledOscillator Voltage GAO Zhiqiang+，SUNPeng，XUYuanxu，YAOEnyi，HUYongshuang Scienceand Institute (DepartmentofMicroelectronicTechnology，HarbinofTechnology，Harbin150006，China) ordertosolvethecontradictionbetween linear con． Abstract：In noiseand 1．3GHz phase tuningrange．a voltage trolledoscillatorwas basedonthe structure．Thecircuitwas inTSMC CMOSRF designed ring designed 0．18¨m simulatedthe inCadenceunder of1．8V．The voltage ranged process，andby SpectreRF supply outputfrequency from was一105 atanoffsetofl 800．0MHzto2．1GHz．Thenoise dBc／Hz MHz． phase controlled noise Keywords：CMOS；voltageoscillator(vco)；ringstructure；phase EEACC：1230Bdoi：10．3969／j．issn．1005—9490．2010．05．012 宽带低相位噪声CMOS环型压控振荡器的设计与研究高志强+，孙鹏，徐元旭，姚恩义，胡永双 (哈尔滨工业大学微电子科学与技术系，哈尔滨150006) RF 摘要：采用一种环型电路结构，设计了一个1．3GHz宽带线性压控振荡器。采用TSMC CMOS工艺，利用Ca- 0．181山m dence V时，控制电压范围为1．0～1．18V，频率的变化范围为 SpectreRF完成对电路的仿真。结果显示，在电源电压屹=1．8 800MHz一2．1 dBc／Hz@I GHz．相位噪声为一105