内透明集电极igbt(itc-igbt)与pt-igbt、fs-igbt的性能比较 performance comparison of the internally transparent collector igbt (itc-igbt),pt-igbt and fs-igbt.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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内透明集电极igbt(itc-igbt)与pt-igbt、fs-igbt的性能比较 performance comparison of the internally transparent collector igbt (itc-igbt),pt-igbt and fs-igbt.pdf

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内透明集电极igbt(itc-igbt)与pt-igbt、fs-igbt的性能比较 performance comparison of the internally transparent collector igbt (itc-igbt),pt-igbt and fs-igbt

No．3 第32卷第3期电子器件 v01．32 Chinese Devices 2009年6月 JourmlOfElectron Jun．2009 Performanceofthe Collector ComparisonInternallyTransparent IGBT(ITC—IGBT)、PT．·IGBTandFS—IGBT+ YOUXuelan，WU m Baowei Yu’，HUDongqing，JYunpeng，ZHANGYanfei，KANG Electronic 100124，China) (Departmentof ScienceTechnology，BeOingUniversityofTechnology．Beijing the has for600V Abstract：Forfirsttimedevicesimulationbeen performed planarInternallyTransparent Collector andFS-IGBTto and theirtrade-offcurvesof IGBT(IT(、_IGBT)．PT-IGBT investigatecompare the versustheturn-off structureoftheIT(、．IGBTis similartothatofthe on-voltage energy．The quite PT—IGBT．buta thin oflocalizedrecombinationwherecarriers’1ifetimeiS lOWiSintro— 1ayer layer very in effectivecollectoroftheITCI-IG ducedthecollectornearthe iunction．The region p-collector／n-buffer BTisthe abovethelocalizedrecombinationwhichis thinand this way，a p-region layer very low-doped．In collectoriSrealized．ItiSshownthattheIT(IGBThasabetter andthetrade-off transparent performance the curveofitwithan n-bufferconcentrationcanbemuchbetterthanthoseofth