内应力对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗的影响 effect of internal stresses on giant magneto-impedance in glass-covered co-rich amorphous wire.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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内应力对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗的影响 effect of internal stresses on giant magneto-impedance in glass-covered co-rich amorphous wire.pdf

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内应力对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗的影响 effect of internal stresses on giant magneto-impedance in glass-covered co-rich amorphous wire

电材 V01．27 第27卷第7期子元件与料 No．7 2008年7月 ELECTRoNICCoMPoNENTSANDNIATERIALS Jul．2008 内应力对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗的影响田斌1，一，江建军1，梁培1，马强1，何华辉1 (1．华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074；2．武汉工程大学电气信息学院，湖北武汉430074) 摘要：通过测量玻璃包覆钴基非晶丝．去除玻璃包覆层非晶丝和经直流焦耳热退火后玻璃包覆非晶丝的磁阻抗值，研究了玻璃包覆层和直流退火对玻璃包覆钴基非晶丝内应力及巨磁阻抗效应的影响。结果表明：通过处理，玻璃包覆非晶丝的GMI最大值更容易在弱磁场出现；随着淬火残余内应力的改变，导致样品壳内畴的体积增加，引起应力感生横向各向异性，从而增强GMI效应：其中经90mA直流退火的样品GMI峰值最大可达144％。关键词：电子技术；巨磁阻抗；磁畴；内应力；非晶态中图分类号：TB383 文献标识码：A 文章编号：1001-2028(2008)07—0036—04 of on in Effectinternalstresses giantmagneto--impedance Co-rich wire amorphous TIAN Hua．huil Bin地，JIANGJian-junl，LIANGPeil，MAQian91，HE ofElectronicScienceand ofScienceand University 430074， (1，Department Technology，Huazhong Technology,Wuhan ofElectricalandInformation China；2。School Engineering，WuhanUniversityofTechnology，Wuhan430074，China) Abstract：TheeffectofDCcurrent and removalonthe of annealingglass giant wireswasstudied．Theresultsshowthat the current and removal DC glass—coveredamorphous through annealingglass field tothemaximumofGMIis the ofGMI treatments，the decreased，while magneticcorresponding frequencydependence valueisincreased．TheGMIvaluewasenhanced theouterdomainvolumeand atransverse