光纤通信05光检测器与光接收机.pptVIP

第5章 光检测器与光接收机 第5章 光检测器与光接收机 光接收机是光纤通信系统的基本组成部分之一，主要完成光电检测及信号处理，即实现光／电（O/E）转换 光接收机的首要任务是将微弱的光信号转换为电信号，再对电信号进行整形、放大以及再生 光接收机的首要部件是光检测器，它是影响着光接收机性能的重要器件 第5章 光检测器与光接收机 5.1 光检测器 5.2 光电二极管 5.3 光接收机 5.4 光中继器 5.1 光检测器 光检测器能检测出入射其光敏面的光功率，并转换为相应变化的电流信号 光检测器有多种类型，如 光电倍增管、热电检测器、光电二极管等 采用半导体材料的光电二极管由于尺寸小、材料合适、灵敏度高、响应速度快，在光纤通信中得到广泛应用 5.1 光检测器 目前，较为常用的半导体光检测器有 PIN光电二极管 雪崩光电二极管APD 为了提高接收机的灵敏度，又常将PIN光电二极管和雪崩光电二极管APD与场效应管（FET）组合成为PIN-FET和APD-FET接收机组件，这样它们兼有光电转换和放大作用 5.1 光检测器 光纤通信系统对光检测器的基本要求是： 在系统的工作波长上要有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，光检测器能输出尽可能大的光电流。 波长响应要和光纤的三个低损耗窗口兼容。 有足够高的响应速度和足够的工作带宽。 产生的附加噪声要尽可能低，能够接收极微弱的光信号。 光电转换线性好，保真度高。 工作性能稳定，可靠性高，寿命长。 功耗和体积小，使用简便。 一、光电转换基本原理 最基本的光电二极管是由反向偏置的PN结构成 一、光电转换基本原理 在耗尽层两侧是没有电场的中性区，由于热运动，部分光生电子和空穴通过扩散运动可能进入耗尽层，然后在电场作用下，形成和漂移电流相同方向的扩散电流 漂移电流分量和扩散电流分量的总和即为光生电流 当入射光变化时，光生电流随之作线性变化，从而把光信号转换成电信号 一、光电转换基本原理 由于光生载流子扩散速度慢于漂移速度，因而将引起响应时延，使响应电流脉冲后沿拖尾延长 一般对光电二极管采用反向偏压，反向偏压增加了耗尽区的宽度，从而减少了光生电流中的扩散分量，同时增强的电场也会加快光生载流子的漂移速度，有利于加快光生载流子的响应时间 光生载流子在外加负偏压和内建电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，在外电路形成光电流 二、PIN光电二极管 光检测器中最普通且实用是PIN光电二极管 PIN光电二极管与基本的PN结型光电二极管的区别是在P区和N区之间的区域有一层轻掺杂的N型材料，称为I（Intrinsic，本征的）层，所以称为PIN 二、PIN光电二极管 I层较厚，几乎占尽了整个耗尽区，在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄 这种设计，使得绝大部分的入射光在I层（耗尽区）内被吸收并产生大量的电子－空穴对（光生载流子） 耗尽区的高电场使得电子－空穴对立即分开并在反向偏置电压的作用下向两端流动，然后在边界处被收集，从而在外电路中形成电流 二、PIN光电二极管 在半导体材料中，光功率的吸收呈指数规律，即 根据量子力学原理可知，每个在能级之间跃迁的电子只能吸收一个光子 要产生光电流，入射光子的能量必须至少等于禁带宽度Eg（也称为带隙能量），这导致了对光频率f或波长λ的限制 二、PIN光电二极管 如果Eg使用电子伏特（eV），则λc可以使用微米（μm）表示为 二、PIN光电二极管 对于Si材料，截止波长为1.06 μm，Ge材料是1.6 μm 如果波长更长，光子能量就不足以激励一个价带的电子跃迁到导带中 在短波长段，材料的吸收系数αs变得很大，光子在接近光检测器的表面就被吸收，电子－空穴对的寿命极短，结果载流子在由光检测器电路收集以前就已经复合了 二、PIN光电二极管 要检测某波长的入射光，必须选择适当的材料做成的检测器 一方面由禁带宽度决定的截止波长要大于入射光波长，否则材料对光透明，不能进行光电转换 另一方面，吸收系数不能太大，以免降低光电转换效率 二、PIN光电二极管 常用半导体材料的禁带宽度和相应的截止波长 三、雪崩光电二极管APD 上述讨论的光电二极管都是基于每一个被吸收的光子只能产生一个电子 但是如果产生的电子在强电场的作用下获得了足够能量，就会诱发许多的电子从价带到导带，即产生二次电子－空穴对 这些二次电子－空穴对又被加速获得足够的能量，引发更多的电子－空穴对，这一过程称为雪崩放大 把具有这一现象的光电二极管称为雪崩光电二极管（APD，Avalanche Photo Diode） 1．APD工作原理 与PIN光电二极管不同，雪崩光电二极管（APD）在结构设计上已考虑到使它能承受高反向偏压（一般为几十或几百伏），从而在PN结内部形成一个高电