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半导体器件原理与工艺(器件)2
半导体器件;基本概念;晶体管的发明;晶体管的特性;;理想NPN掺杂分布;两个独立的PN结构成;背靠背二极管;工作原理;特性参数;特性参数-1;特性参数-2;晶体管的电流放大原理;非平衡晶体管的能带和载流子分布;;理想晶体管模型(I-V关系）;晶体管中的电流;电流电压关系;IE,n;IE,p;Ir,B;均匀晶体管的电流放大系数;;理论和实验的偏差;理论和实验的偏差-1;基区宽度调制;基区宽度调制-1;基区宽度调制-2;基区穿通;雪崩倍增和击穿;雪崩倍增和击穿-1;几何效应;几何效应-1;几何效应-2;几何效应-3;几何效应-4;几何效应-5;几何效应-6;几何效应-7;复合-产生电流;复合-产生电流-1;发射区重掺杂;;非平衡少子分布;非平衡少子分布-1;非平衡少子分布-2;非平衡少子电流;品质因素;现代BJT结构;现代BJT结构-1;现代BJT结构-2;小结;晶体管的频率特性---小信号模型;频率对晶体管电流放大系数的影响;晶体管交流小信号的传输过程;发射效率和基区输运系数;晶体管的频率特性---小信号模型;小信号模型-1;小信号模型-2;小信号模型-3;小信号等效电路;混合?模型-1;混合?模型-2;混合?模型-3;混合?模型-4;完整的混合?模型等效电路;特征频率和截止频率;特征频率和截止频率-1;特征频率和截止频率-2;特征频率和截止频率-3;特征频率和截止频率-4;最高振荡频率和高频优值;提高特征频率的措施;晶体管的噪声;晶体管的噪声;晶体管的开关特性;瞬态响应-1;开关时间;瞬态开启特性;延迟过程;上升过程;上升过程-1;上升过程-2;上升过程-3;关断时间;关断时间-1;关断时间-2;关断时间-3;晶体管的功率特性; ;晶体管的功率特性;集电结最大耗散功率和晶体管的热阻;二次击穿;集电极最大工作电流和安全工作区
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