第06章 mosfet 及相关器件(二).pptVIP

解： 例8：针对例６中阈值电压VT为-0.02V的MOSFET器件，假如衬底电压由0V增加至2V，试计算阈值电压的变化量． MOSFET基本原理 MOSFET尺寸的缩减在一开始即为一持续的趋势。在集成电路中，较小的器件尺寸可达到较高的器件密度。 此外，较短的沟道长度可改善驱动电流(ID～1/L)以及工作时的特性。然而，由于器件尺寸的缩减，沟道边缘( 如源极、漏极及绝缘区边缘 )的扰动将变得更加重要。 因此器件的特性将不再遵守长沟道近似的假设。 §6.3 MOSFET按比例缩小 前面所得到的阈值电压是基于渐变沟道近似推导得出的，亦即衬底耗尽区内的电荷仅由栅极电压产生的电场所感应。即VT与源极到漏极间的横向电场无关。然而随着沟道长度的缩减，源极与漏极间的电场将会影响电荷分布、阈值电压控制以及器件漏电等器件特性。 短沟道效应 §6.3 MOSFET按比例缩小 当沟道的边缘效应变得不可忽略时，随着沟道的缩减，n沟道MOSFET的阈值电压通常会变得不像原先那么正，而对于p沟道MOSFET而言，则不像原先那么负，下图显示了在VDS=0.05V时VT下跌的现象． 一、线性区中的阈值电压下跌( Vth roll-off ) MOSFET按比例缩小 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 2 . 0 - 4 . 0 - 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 V 05 . 0 DS = V V 8 . 1 DS = V NMOS PMOS V 05 . 0 DS - = V V 8 . 1 DS - = V 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 2 . 0 - 4 . 0 - 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 2 . 0 - 4 . 0 - 0 2 . 0 4 . 0 6 . 0 V 05 . 0 DS = V V 8 . 1 DS = V NMOS PMOS V 05 . 0 DS - = V V 8 . 1 DS - = V m / m 栅 L V / T V CMOS(complementary MOS)由成对的互补p沟道与n沟道MOSFET所组成。由于具有低功率损耗以及较佳的噪声抑制能力，CMOS逻辑为目前集成电路设计的最常用技术。由于低功率损耗的需求，目前仅有CMOS技术被使用于ULSI的制造。 如图所示为CMOS反相器的结构，其中p沟道与n沟道MOSFET均为增强型晶体管。p与n沟道晶体管的栅极连接在一起，并作为此反相器的输入端，而它们漏极亦连接在一起，并作为反相器的输出端．n沟道MOSFET的源极与衬底接点均接地，而p沟道MOSFET的源极与衬底则连接至电源供应端(VDD) 。 CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) CMOS反相器 当输入电压为低电压时(即Vin=0，VGSn=0＜VTn)，n沟道MOSFET关闭，然而由于|VGSp|≈VDD|VTp|，(VGSp与VTp为负值)，所以p沟道MOSFET为导通态。因此，输出端通过p沟道MOSFET充电至VDD。 当输入电压逐渐升高，使栅极电压等于VDD时，因为VGSn=VDDVTn，所以n沟道MOSFET将被导通，而由于|VGSp|≈0|VTp|，所以p沟道MOSFET将被关闭．因此，输出端将经n沟道MOSFET放电至零电势． CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) 如图所示为CMOS反相器的输出特性，其中显示Ip以及In为输出电压(Vout)的函数．Ip为p沟道MOSFET由源极(连接至VDD)流向漏极(输出端)的电流；In为n沟道MOSFET由漏极(输出端)流向源极(连接至接地端)的电流． 需注意的是在固定Vout下，增加输入电压(Vin)将会增加In而减少Ip。然而在稳态时，In应与Ip相同．对于给定一个Vin，可由In(Vin)与Ip(Vin)的截距，计算出相对应的Vout． CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) 如图所示的Vin-Vout曲线称为CMOS反相器的传输曲线。 CMOS反相器的一个重要的特性是，当输出处于逻辑稳态(即Vout=0或VDD)时，仅有一个晶体管导通，因此由电源供应处流到地端的电流非常小，且相当于器件关闭时的漏电流．事实上，只有在两个器件暂时导通时的极短暂态时间内才会有大电流流过。因此与其他种类如n沟道MOSFET、双极型等逻辑电路相比，其稳态时的功率损耗甚低． CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) CMOS有低功率消耗及高器件密度的优点，使其适用于复杂电路的制作。然而与双极型技术相比，CMOS的低电流驱动能力限制了其在电路上的表现。 BiCMOS是将CMOS及双极型器件整合在同一芯片上的技术。 BiCMOS电路包含了大部