光电导探测器光敏电阻光电二极管11111.pptVIP

4.4光电导探测器－光敏电阻 光电导探测器工作原理：光电导效应。 光电导效应是半导体材料的一种体效应，无需形成pn结，故又常称为无结光电探测器。 光电导探测器在光照下会改变自身的电阻率，光照愈强，器件自身的电阻愈小，因此常常又称为光敏电阻或光导管。 本征型光敏电阻一般在室温下工作，适用于可见光和近红外辐射探测； 非本征光敏电阻通常在低温条件下工作，常用于中、远红外辐射探测，没有极性，只要把它看做电阻值随光照强度而变化的可变电阻器对待即可，因此在电子电路、仪器仪表、光电控制、计量分析以及光电制导、激光外差探测等领域中获得了十分广泛的应用。 常用的光敏电阻有CdS、CdSe、PbS以及TeCeHg等。其中CdS 是工业应用最多的，而PbS主要用于军事装备。 4.4.1 光电转换原理 光敏电阻分析模型 M1说明载流子已经渡越完毕，但载流子的平均寿命还未中止。这种现象可以这样理解：光生电子向正极运动，空穴向负极运动，可是空穴移动就可能为晶体缺陷和杂质形成的俘获中心—陷阱所俘获。因此，当电子到达阳极消失时，陷阱俘获的正电中心（空穴）仍留在体内，它又会将负电极的电子感应到半导体中来，被诱导进来的电子又在电场中运动到正极，如此循环直到正电中心消失。这就相当于放大了初生的光生电流。 4.4.2 工作特性 光敏电阻的性能可依据其光谱