一种提高gaas hbt放大器增益带宽积的技术 an approach to enhance the gain-bandwidth product of a gaas hbt cascode broadband amplifier.pdfVIP

第29卷 第3期 固体电子学研究与进展 V01．29。No．3 2009年9月 0FSSE Sep．，2009 RESEARCHPROGRESS 一种提高GaAsHBT放大器增益带宽积的技术 李 杰1 胡善文1． 张晓东2 高 怀1 2008—09—12收稿，2008—12—26收改稿 摘要：提出了一种提高GaAsHBT共射共基宽带放大器增益带宽积的技术，给出了一种宽带补偿的改进型共 射共基宽带增益单元。小信号分析表明：在相同半导体工艺条件下，基于这种改进型电路结构的放大器具有更高的 增益带宽积。采用2岬InGaP／GaAsHBT晶体管工艺，分别设计了无高频损耗补偿和具有高频损耗补偿电路的共 射共基放大器，并成功流片，在同样测试条件下，新的增益单元其增益带宽积达到了原来的近400％。 关键词：宽带放大器；补偿；增益单元；共射共基放大器 中图分类号：TN72