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基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作
第 26 卷 第 8 期 半 导 体 学 报 Vol . 26 No . 8
2005 年 8 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Aug . ,2005
基于 SIMOX 的耐高温压力传感器芯片制作
1 1 2 3
王 权 丁建宁 王文襄 熊 斌
( 1 江苏大学微纳米科学技术研究中心 , 镇江 2 120 13)
(2 昆山双桥传感器测试技术有限公司 , 苏州 2 15325)
(3 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海 200050)
摘要 : 针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求 ,设计了压阻式压力传感器敏感芯片 ,采用 SIMOX 技术
( )
的 SO I 晶片 ,在微加工平台上通过低压化学气相淀积法 L PCVD 均相外延硅测量层 、浓硼离子注入 、热氧化 、光
( )
刻 、电感耦合等离子体 ICP 深刻蚀 、多层合金化等工艺流程制作了该芯片 ,将其封装后 ,研制出了高精度稳定性佳
的耐高温压阻式压力传感器. 封装工艺进一步改善后 ,该芯片工作温区有望拓宽到 300～350 ℃.
关键词 : 高温压力传感器 ; SIMOX ; 低压化学气相淀积 ; 电感耦合等离子体深刻蚀
PACC : 0630N ; 6855 ; 8110
中图分类号 : TP2 12 1 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2005)
中大剂量的氧离子被注入到起始硅片中 ,然后进行
1 引言 高温退火处理形成 SO I 结构 ;键合技术 ,包括键合
( )
与背面减薄 bo ndin g an d et ch - back SO I B ESO I
在石油开采 、化工领域的反应釜和冶炼塔等的 [ 5 ] ( ( )
技术 和智能剥离 SMA R TCU T 或 U N IBOND
压力测量中 ,对压力传感器提出了耐高温 、微型化 、 技术. 键合技术工艺较复杂 ,成本控制较难.
抗腐蚀等要求[ 1 ] ,传统的硅扩散压阻式压力传感器 文献[ 6 ] 利用 SMA R TCU T 技术的 SO I 晶片 ,
用重掺杂 4 个 p 型硅应变电阻构成惠斯顿电桥的力 研制了高温压力传感器 ,其高温特性测到 150 ℃,量
敏检测模式 ,采用 p n 结隔离 , 当温度在 100 ℃以上 程为 0～8M Pa ,灵敏度为 63mV/ ( M
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