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M.R. Vaezi , S.K. Sadrnezhaad Materials Science and Engineering B 141 (2007) 23–27 Improving the electrical conductance of chemically deposited zinc oxide thin films by Sn dopant 指導教授: 蔡明雄 教授學 生: 游琬偵 日 期: 98.11.24 前言 TCO(透明導電氧化物)材料具有傳輸在可見光區域、高透光性和低電阻。 ZnO薄膜電子性質和光學性質是重要的一環。 摻雜Sn改變ZnO薄膜性質。 製作薄膜有以下方法：濺射、噴霧裂解、化學浸鍍法等。 實驗步驟 清洗玻璃基板 溶液配製 浸鍍完加熱至350℃ XRD、SEM、導電性、UV可見光、膜厚 實驗步驟 實驗步驟 NH4OH ZnCl2 Zn(OH)2 NH4OH SnCl4 實驗步驟 冷的溶液 熱水 結果與討論 Fig. 1. Effect of number of dipping and Sn doping on ZnO film thickness. 結果與討論 Fig. 2. XRD spectra for the ZnO:Sn thin films with different concentrations of Sn dopant. SnO 或是 Zn2SnO4 （200） 結果與討論 Fig. 3. SEM micrographs of Sn-doped ZnO thin films deposited after 100 times of dipping containing (a) 1% Sn, (b) 1.5% Sn, (c) 2.5% Sn and (d) 3% Sn. a b c d 粒子點 結果與討論 Fig. 4. SEM micrograph of Sn-doped ZnO thin films deposited after 30 times of dipping in a solution containing 1% Sn. Fig. 3. SEM micrographs of Sn-doped ZnO thin films deposited after 100 times of dipping containing 1% Sn. 100 times 30 times 結果與討論 Fig. 5. Variation of resistivity as a function of concentration of Sn dopant. 結果與討論 Fig. 6. Transmittance spectra as a function of wavelength in the range 300–800 nm for 1, 1.5, 2, 2.5 and 3 at.% of Sn-doped ZnO thin films. 3at%Sn 結果與討論 Fig. 7. Plot of (α)2 vs. the photon energy in the absorption region. 結論 化學浸鍍法可簡單的將溶液沉積在玻璃基板上 連續浸漬次數決定膜厚 加入過多Sn會阻礙ZnO晶界產生 Sn濃度增加電阻隨之下降