第4讲 晶体三极管及场效应管.pptVIP

第四讲 晶体三极管及场效应管 晶体三极管 二、晶体管的电流分配与放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 四、主要参数 五、温度对晶体管特性的影响 小结 1、三极管的三个区域的结构掺杂浓度不同，这是三极管具有电流放大作用的内部条件；其外部条件是发射结正偏，集电极反偏。 2、晶体管工作在不同状态时，其外部特征是： 放大状态：发射结正偏，集电结反偏。 截止状态：发射结零偏或反偏，集电结反偏。 饱和状态：反射结正偏，集电结正偏。 3、使用晶体管时，不能超过其极限参数。在放大状态，一般取 4、温度对晶体管的参数和特性有很大的影响。 场效应管 场效应管 本节要点： 1、场效应管的类型和结构 2、场效应管的工作原理 3、场效应管的特性和参数 4、场效应管与晶体管的异同 复习提问： 1、晶体管的特点？其工作在放大状态的条件是什么？ 2、在晶体管内部有几种性质的载流子参与导电？ 引言：晶体管是多子和少子均参与导电的双极性晶体管。场效应管与双极性晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性的晶体管 一.场效应管的类型 1.结型场效应管JFET P沟道场效应管 N沟道场效应管 2.绝缘栅型场效应管MOS 增强型N沟道绝缘栅型场效应管 增强型P沟道绝缘栅型场效应管 耗尽型N沟道绝缘栅型场效应管 耗尽型P沟道绝缘栅型场效应管 二、场效应管的结构（以N沟道为例） 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 结论 显然，改变uGS可以改变PN结的宽度，改变导电沟道的宽度，改变漏极电流ID的大小，故曰结型场效应管 转移特性 输出特性 （1）可变电阻区 夹断区 相当于晶体管的截止区 变阻区 相当于晶体管的饱和区 恒流区 相当于晶体管的放大区 结型场效应管的缺点 1、栅源极间的电阻虽然可达以上，但在某些场合仍嫌不够高。 2、在高温下，PN结反向电流增大，栅源间的电阻会显著下降。 3、栅源极间的PN结加正向电流时，将会出现较大的栅极电流。 绝缘栅型场效应管可以很好地解决这些问题！ 2. 绝缘栅型场效应管 增强型MOS管uDS对iD的影响 图1.4.10 N沟道增强型MOS管的特性曲线 耗尽型MOS管 VMOS管的结构示意图 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 动画演示 u u i 是uDS较小，管子尚未预夹断时的工作区域。虚线为不同uGS是预夹断点的轨迹，故虚线上各点uGD=UGS(off)，则虚线上各点对应的uDS=uGS-UGS(off)。 2、改变uGS时，特性曲线斜率变化，因此管子漏极欲源极之间可以看成一个由uGS控制的线性电阻，即压控电阻。uGS愈负,特性曲线斜率愈小,等效电阻愈大。 特点： 1、iD几乎与uDS成线性关系，管子相当于线性电阻。 u u i （2）恒流区（饱和区） 特性曲线近似水平的部分，它是JFET预夹断后所对应的工作区域。 特点： 1、输出电流iD 基本上不受输出电压uDS的影响，仅取决于uGS，故特性曲线是一族近乎平行于uDS轴的水平线。 2、输入电压uGS控制输出电流 u u i （3）击穿区 特性曲线上翘部分。 uDSU(BR)DS，管子不允许工作在这个区域。 （4）夹断区（截止区） 输出特性曲线靠近横轴的部分。它是发生在uGS≤ UGS（off）时，管子的导电沟道完全被夹断。 特点： iD≈0 2. 绝缘栅型场效应管 图1.4.7 N沟道增强型MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 增强型管 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 大到一定值才开启 动画演示 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝