808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计 design of 808 nm high power diode laser bars.pdfVIP

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  • 2017-08-23 发布于上海
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808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计 design of 808 nm high power diode laser bars.pdf

808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计 design of 808 nm high power diode laser bars

第23卷第1期 强 激 光 与 粒 子 束 V01.23。No.1 BEAMS 2011年1月 HIGHPOWERLASERANDPARTICI。E Jan.,2011 文章编号: 1001—4322(2011)01—0035—04 808 llm大功率半导体激光器阵列的优化设计。 杨 晔 , 秦 王 烨1’2, 梁雪梅1’2, 李再金1’2, h 刘胡 犁棚 出K 莉晶 ,,晶 , 王 超1, 王立军1 (1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春130033; 2.中国科学院研究生院,北京100039) 摘要:采用激射波长为808nm的GaAs/A1GaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制

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