用电阻补偿效应分析rtd表观正阻产生的物理机制 analysis of the physical mechanism of generation on apparent positive resistance(apr) in rtd using resistance compensation effect.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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用电阻补偿效应分析rtd表观正阻产生的物理机制 analysis of the physical mechanism of generation on apparent positive resistance(apr) in rtd using resistance compensation effect.pdf

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用电阻补偿效应分析rtd表观正阻产生的物理机制 analysis of the physical mechanism of generation on apparent positive resistance(apr) in rtd using resistance compensation effect

第33卷第1期固体电子学研究与进展 V01．33．No．1 2013年2月 OFSSE Feb．，2013 RESEARCHPROGRESS 用电阻补偿效应分析RTD表观正阻产生的物理机制郭维廉张世林王伊钿。毛陆虹谢生 (天津大学电子信息工程学院，天津，300072) 2012—09—25收稿，2012·II·28收改稿摘要：表观正阻是RTDI-V特性上峰值电压¨大于谷值电压yv的现象。以前的观念认为它来源于RTD和其负载电阻R。构成的锁定单元，但未阐明负载电阻产生的物理过程。对表观正阻现象产生的物理机制进行了更进一步的研究，发现了RTD串联电阻增大时形成R。／RTD锁定单元的物理过程，为建立APR的物理模型莫定了基础。关键词：共振隧穿=极管；电流一电压特性；电阻补偿效应；表观正阻；风／共振隧穿二极管锁定单元；双稳态中图分类号：TN386．3文献标识码：A 文章编号；1000—3819(2013)01—0006—05 ofthe MechanismofGenerationon AnalysisPhysical Apparent Positive RTD Resistance Resistance(APR)in Using Effect Compensation GUOWeilianZHANG YidianMAO ShilinWANG XIE LuhongSheng (SchoolD，ElectronicInformation Engineering，TianfinUniversity，Tianjin，300072，CHN) Abstract：The resistanceisa that is apparentpositive phenomenonpeakvoltageVp larger than yvinj—ycharacteristicinRTD．Previousconsidersthatthe of valleyvoltage concept origin APRisattributedtothelatchelementconstructedRTDanditsloadresistancethis by RL．But doesnot the offormationofthisloadresistance．Thishas concept explainphysicalprocess paper madeafurther of mechanismof of resistanceinRTD investigationphysical generationap