晶体管和场效应管工作原理详解.pptVIP

§1.3 双极型晶体管 双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管BJT (Bipolar Junction Transistor) 。 1.3.2 晶体管的电流放大作用 电流放大条件： 内部条件：发射区掺杂浓度高；基区薄；集电区面积大 。 外部条件：发射结正偏；集电结反偏。 NPN: VCVBVE PNP: VCVBVE 一、晶体管内部载流子的运动 图 晶体管内部载流子运动与外部电流 二、晶体管的电流分配关系 外部电流关系： IE= IC +IB 内部： 为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数为 为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数 为 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由 , 的定义可得 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 晶体管伏安特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线，它对于了解晶体管的导电特性非常有用。晶体管有三个电极，通常用其中两个分别作输入、输出端，第三个作公共端，这样可以构成输入和输出两个回路。实际中，有图所示的三种基本接法(组态)，分别称为共发射极、共集电极和共基极接法。其中，共发射极接法更具代表性，所以我们主要讨论共发射极伏安特性曲线。 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 一、共发射极输入特性 共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 典型的共发射极输入特性曲线如图所示。 一、共发射极输入特性 二、共发射极输出特性曲线 共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即 输出特性可以划分为三个区域，对应于三种工作状态。 二、共发射极输出特性曲线 1放大区 e结为正偏，c结为反偏的工作区域为放大区。在放大区有以下两个特点： (1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用，即iB有很小的变化量ΔIB时， iC就会有很大的变化量ΔIC。为此，用共发射极交流电流放大系数β来表示这种控制能力。β定义为 反映在特性曲线上，为两条不同IB曲线的间隔。 (2) uCE变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为，iB一定而uCE增大时，曲线略有上翘(iC略有增大)。这是因为uCE增大，c结反向电压增大，使c结展宽，所以有效基区宽度变窄，这样基区中电子与空穴复合的机会减少，即iB要减小。而要保持iB不变，所以iC将略有增大。这种现象称为基区宽度调制效应，或简称基调效应。从另一方面看，由于基调效应很微弱， uCE在很大范围内变化时IC基本不变。因此，当IB一定时，集电极电流具有恒流特性。 2饱和区 e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把uCE=uBE(即c结零偏)的情况称为临界饱和，对应点的轨迹为临界饱和线。 输出特性三个区域的特点: 1.3.4 晶体管的主要参数 共基极直流电流放大系数 和交流电流放大系数  由于ICBO、ICEO都很小，在数值上β≈ ,α≈ 。所以在以后的计算中，不再加以区分。 β值与测量条件有关。一般来说，在iC很大或很小时，β值较小。只有在iC不大、不小的中间值范围内，β值才比较大，且基本不随iC而变化。因此，在查手册时应注意β值的测试条件。尤其是大功率管更应强调这一点。 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 温度对晶体管的参数都有影响。其中， uBE 、 ICBO随温度变化的规律与PN结相同，即温度每升高1℃， uBE减小2~2.5mV；温度每升高10℃， ICBO增大一倍。温度对β的影响表现为，β随温度的升高而增大，变化规律是：温度每升高1℃，β值增大0.5%~1%(即Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)。 图 温度对晶体管输入特性的影响 图 温度对晶体管输出特性的影响 1.3.6 光电三极管 1.3.6 光电三极管 § 1.4 场效应管 1.4.1 结型场效应管 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 ② VDS对沟道的控制作用 ③VGS和VDS同时作用时 综上分析可知 3、结型场效应管（JFET)的特性曲线及参数 (3)主要参数 (3)主要参数 结型场效应管的缺点 1.4.2 绝缘栅场效应管 增强型MOS场效应管 二、N沟道增强型MOS场效应管工作原理 漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 耗尽型MOS场效应管 二、N沟道耗尽型MO