半导体制程简介 Saint Huang.pptVIP

半導體製程簡介 部 門 ASI / EOL 報告人 Saint Huang 半導體製造流程 半導體製程分類 I. 晶圓製造 II.晶圓處理 III.晶圓針測 IV.半導體構裝 V.半導體測試 I.晶圓製造 晶圓製造流程 晶圓材料 分類: 元素半導體 : 矽,鍺 化合物半導體 : 碳化矽(SiC),砷化鎵(GaAs) 矽的優缺點 : 優點:存量豐富,無毒,穩定之氧化鈍態層,製造成本低 缺點:電子流動率低,間接能階之結構 多晶矽原料製造(西門子法) 單晶生長技術 柴氏長晶法 : 82.4% 磊晶法 : 14.0% 浮融帶長晶法 : 3.3% 其它 : 0.2% (1993年市場佔有率) 長晶程序(柴式長晶法) 矽金屬及摻雜質的融化(Meltdown) 頸部成長(Neck Growth) 晶冠成長(Crown Growth) 晶體成長(Body Growth) 尾部成長(Tail Growth) 柴氏長晶法示意圖 單晶成長流程圖 晶柱後處理流程 晶圓切片(Slicing) 晶圓切片流程 晶棒黏著 切片 晶圓清洗 規格檢驗 晶邊圓磨（Edge contouring） 目的 防止晶圓邊緣碎裂 防止熱應力之集中 增加光阻層在邊緣之平坦度 方式 輪磨 化學蝕刻 晶面抹磨 輪磨示意圖 晶面研磨(Lapping) 去除鋸痕與破壞層 平坦化(降低粗糙度) 化學蝕刻(Etching) 目的: 去除加工應力所造成之損 傷層,以提供更潔淨平滑表面 蝕刻液種類 酸系: 氫氟酸,硝酸,醋酸混合 鹼系: 氫氧化鈉,氫氧化鉀 晶圓拋光(Polishing) 以研磨劑中之NaOH,KOH,NH4OH腐蝕最表層,由機械磨擦進行拋光 邊緣拋光 降低微粒附著 增加機械強度 表面拋光 去除微缺陷 平坦化 晶圓清潔(Cleaning)(一) SC-1(RCA standard clean 1) 化學品:NH4OH,H2O2,H2O 目的:清除微粒子 SC-2(RCA standard clean 2) 化學品:HCl, H2O2,H2O 目的:清除金屬粒子 晶圓清潔(Cleaning)(二) SPM(Piranha Clean) 化學品:H2SO4,H2O2 目的:清除有機物質 DHF(Dilute HF Clean) 化學品:HF,H2O 目的:清除表層氧化物 II.晶圓處理 晶圓處理流程 氧化反應(Oxidation) 目的:獲得SiO2層(如場氧化層)做為元件絕緣體材料 方法: 乾式氧化法 Si + O2 SiO2 濕式氧化法 Si + 2H2O SiO2 + 2H2 薄膜沉積(Deposition) 物理氣相沉積(PVD) 主要應用範圍: 金屬材料 化學氣相沉積(CVD) 主要應用範圍: 介電材料,導體材料,半導體材料 物理氣相沉積 -- 蒸鍍(Evaporation) 物理氣相沉積 -- 濺鍍(Sputtering) 化學氣相沉積 微影製程(Photolithography) 光阻 光阻材料及作用 樹脂: 黏合劑 感光材料: 光活性強之化合物 溶劑: 使光阻以液體方式存在 分類: 正光阻:遇光溶於顯影劑 負光阻:產生鏈結,使結構增強,不溶於顯影劑 光阻塗佈 曝光 接觸式曝光: 解析度好,但光罩易被污染 近接式曝光: 光罩不被污染,但解析度降低 投影式曝光: 解析度佳,且光罩不被污染,目前工業所用 曝光概念圖 蝕刻(Etching) 目的: 除去微影製程中沒被光阻覆蓋部份的薄膜 蝕刻技術: 乾式蝕刻 濕式蝕刻 摻雜(Doping) 目的: 增加導電性 如N型半導體加入砷離子,P型半導體加入硼離子 常用方法 擴散法 離子植入法 IC製程簡圖(一) IC製程簡圖(二) IC製程簡圖(三) III.晶圓針測 晶圓針測示意圖 晶圓針測流程圖 IV.半導體構裝 構裝之目的 電能傳遞 訊號傳遞 散熱 結構保護與支持 構裝的分類(一) 依IC晶片數目： SCP(Single Chip Packages) MCM (Multi-chip Chip Mudule) 依密封材質： 塑膠(Plastic Packages) 陶瓷(Cermic Packages) 構裝的分類(二) 與電路板接合方式： 引角插入型(Pin-Through-Hole) 表面粘著型(Surface Mount Technology) 依引腳分布型態： 單邊引腳：交叉引腳式ZIP　　 雙邊引腳：雙列式DIP 四邊引腳：四邊扁平構裝QFP 底部引腳：針格式PGB 構裝的名稱與應用 構裝之演化及趨勢 塑膠構裝打線接合製程(一) 晶片切割(Die Sa