集成电路可靠性 79p.pptVIP

集成电路技术讲座第十三讲 集成电路可靠性 Reliability 集成电路可靠性 （一）可靠性概念和表征方法 （二）失效规律－浴盆曲线 （三）硅片级可靠性设计和测试 （四）老化筛选和可靠性试验 （五）失效模式和失效分析 　 （一）可靠性概念和表征方法 可靠性概念和表征方法 集成电路的可靠性是指集成电路在预期寿命内，在规定的条件下正常工作的概率．即集成电路能正常使用多长时间． Unreliability F(t)=r/n n 总样品数　 r　失效数 Reliability R(t)=(n-r)/n Failure Density f(t)=f(t,t+?t)=?r/n Failure Rate ?(t)=?(t,t+?t)=?r/(n-r) 可靠性概念和表征方法 ?平均失效率　(Failure rate) （用于常数失效区） 　 Fr=Nf/Ndt 　Nf 失效数 Ndt　器件数和试验小时数乘积 ? FIT(Failure In Time)=Fr*109 1小时内每109个(10亿)器件中有一个器件失效时，称为1FIT (ppb),　或1000小时内每106个(100万)器件中有一个器件失效时，称为1FIT ?平均失效时间 MTTF　(Mean Time to Failure) =1/Fr 与失效速率有关的函数 在给定时间间隔dt中失效的总数分数可用函数f(t)dt表示，f(t)为失效速率，累积失效数目是该函数对时间的积分， 即为累积失效函数 可靠性函数定义为在时间为t时仍未失效的总数分数 失效函数的描述 正态分布 f(t)=[1/(2??)-0.5]Exp{-1/2[(t-?)/ ?]2} F(t)= [1/(2??)-0.5] t Exp{-0.5[(t-?)/ ?]2}dt Webull分布 　F(t)=1-e-(t/?)? ?为器件的特征寿命 ?为形状函数 塑封器件现场统计失效率例(FIT) 器件失效对系统性能的影响 （二）失效规律－浴盆曲线 浴盆曲线 早期失效期 　　器件的早期失效速率很快，且随时间迅速变小，早期失效原因主要是由于设计和制造工艺上的缺陷引起．例如：氧化物针孔引起栅击穿，压焊不牢引起开路．通过加强制造过程质量管理来减少早期失效．老化筛选可以帮助剔除这些早期失效产品。 有用寿命期（随机失效期） 　　　浴盆曲线中第二个区域特点是失效速率低且稳定，几乎是常数，该区域的长短则决定了器件的使用寿命。影响此寿命的因素有温度，湿度，电场等．最大因素是芯片温度．失效机理有如：潮气渗入钝化层引起金属锈蚀；金属间化合物生长引起的疲劳失效；潮气沿界面渗入引起封装开裂等。该段时间也是产品在客户手中使用和系统的预期寿命，在该范围内的失效速率与系统失效紧密相关． 耗损失效期 　　　在曲线的最后区域，失效速率急剧上升，意味着封装器件达到了预期寿命，诸如开裂和过度的应力不可能对该区域有重大影响，因为这些问题造成的失效应更早出现。引起该失效的最典型的原因是较慢锈蚀过程的累积效应。失效速率开始快速上升的时间应该超过系统的预期寿命，以保证消费者的质量要求。 （三）硅片级可靠性设计和测试 硅片级可靠性（工艺可靠性） 产品可靠性取决于设计，工艺和封装 相同设计规则，相同工艺和封装的不同产品应有相同的可靠性水平 可靠性要从源头－设计抓起 可靠性是内在质量，是靠‘做’出来的，不是靠‘测’出来的 可靠性设计 电路设计的可靠性考虑 器件和版图结构设计的可靠性考虑 工艺设计的可靠性考虑 可靠性设计－电路设计时的考虑 尽量减少接触点数目和芯片面积 尽量减少电流和功耗，pn结温 提高电路冗余度．如增加放大级数，减少每级的增益，对逻辑电路，要使噪声容限和扇出数留有余量 采用输入保护措施 可靠性设计－器件和版图结构设计时的考虑 沟道长度设计要考虑热电子问题 铝布线的电流密度应在106A/cm2以下，以防止断线和电迁移 元件布局，应将容易受温度影响的元件，远离发热元件 在必须匹配的电路中，应将相关元件并排或对称排列 版图上防止Latch up的措施 芯片边缘和划片道的设计 可靠性设计－工艺设计时的考虑 氧化膜中的可动离子 氧化膜TDDB水平 选择表面钝化膜，防止灰尘和水汽等原因造成的退化　(SiO2, PSG, Si3N4, Polymide) 硅片级可靠性测试 TDDB测试 电迁移测试 热载流子测试 TDDB 直接评估介质电学特性，硅片级预测器件寿命 测试样品为MOS电容或MOSFET 四种方式：恒电压，恒电流，斜坡电压，斜坡电流 测试参数：Ebd，tbd, Qbd Qbd＝?tdbJ(t)dt TDDB测试 TDDB TDDB 电迁移现象 MTF