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计算机组成原理和汇编语言6
第六章 存储系统;第一节 存储器概述;第一节 存储器概述;第二节 随机存取存储器和只读存储器;? 定义：
T1导通、T2截止，存“0”
T2导通、T1截止，存“1” ;读操作：行选择线Xi加高电平;（2）SRAM 存储芯片举例 （Intel 2114）; 内部结构; 引脚;（1）单管 MOS 动态存储单元电路;工作状态：
写操作：字线Z加高电平
写“1”：位线W加高电平，经T对C充电（V1）
写“0”：位线W加低电平，电容C经T放电（V0）
写结束：字线Z、位线W加低电平。; 内部结构; 引脚及功能 16脚封装;（3）动态存储器的刷新;优点：读写操作不受刷新工作影响，系统存取速度比较快。
缺点：集中刷新期间必须停止读写，形成一段死区。; 分散刷新方式
将存储周期分为两段,前段读/写/保持,后段刷新。;优点：兼有前面两种的优点,对主存利用率和工作速度影响小。
控制上稍复杂。;3、??存容量的扩展;用8K*1位的存储芯片，组成8k*8位的主存;用16K*8位的存储芯片，组成64k*8位的主存;例1:半导体存储器总容量4k*8位,其中固化区2KB,选用EPROM芯片2716(2K*8/片),工作区2KB,选用SRAM芯片2114(1K*4/片),地址总线A15 ? A0 ，双向数据总线D7 ? D0 ;（2）地址分配与片选逻辑;（3）逻辑图;答案：1） 8K*8的EPROM片 2片
8K*8的SRAM片 4片
4K*8的SRAM片 2片;2）每个芯片的地址与存储器地址的特点;;4、主存储器与CPU的连接;（2）CPU与主存速度匹配
按CPU内部操作划分时钟周期,每个时钟周期完 成一个CPU内部操作。;（3）数据通路匹配
总线的数据通路宽度: 数据总线一次能并行传送的位数;;二、半导体只读存储器;第三节 高速存储器;第四节 Cache存储器与虚拟存储器;第五节 辅助存储器;第六节 磁盘阵列RAID;第六节 磁盘阵列RAID;第六节 磁盘阵列RAID;
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