基于g―C3N4半导体异质结结构改性及其光催化活性的研究.docVIP

基于g―C3N4半导体异质结结构改性及其光催化活性的研究 　　[摘 要]石墨相的氮化碳（g-C3N4）不含金属元素，是中等带隙的半导体材料，禁带宽度2.7 eV。g-C3N4易于通过官能团进行修饰改性，进而提高其光催化活性。因此g-C3N4被认为是理想的可见光催化半导体材料。本文主要介绍通过和合适的半导体形成异质结结构，增强光生载流子的利用率，进而提高光催化产氢活性。同时文中对g-C3N4现在存在的问题及应用前景做了简要的介绍。 　　[关键词]g-C3N4 异质结结构 可见光 　　中图分类号：TH113.22 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2016）23-0087-02 　　The creation of heterostructure and visible light driven photocatalytic performance of g-C3N4 based semiconductor 　　FAN Xiu-Fei， MENG Jian-Ling * 　　（Tongren University， College of materials and chemistry engineering， 554300） 　　[Abstract]Graphite carbon nitride （g-C3N4） is composed of only C， N elements. g-C3N4 is a medium band gap semiconductor， which is about 2.7 eV. The g-C3N4 could act as an eminent candidate for coupling with various functional materials to enhance the performance. In this Review， we describe the creation of heterojunctions between g-C3N4 and appropriate semiconductors can effetely enhance the separation rate of photogenerrated carriers to promote the hydrogen evolution rate. 　　[Key words]g-C3N4; Heterostructure; Visible light 　　1、引言 　　保护环境和节约能源加快了人类对太阳能的利用和研究。自1972年日本科学家Fujishima和Honda首次报道TiO2光催化分解水反应后[1]，半导体光催化成为降解污染物和太阳能转化领域中最引人注目的一项技术。g-C3N4具备以下特点，使得它成为近年来可见光催化领域新的研究热点[2]，（1） 良好的化学稳定性及热稳定性， （2） 良好的导电性，（3）中等带隙的半导体，能带宽度 （Eg） 2.7 eV，导带能级 （ECB） -1.3 eV，价带能级 （EVB） 1.4 eV。 　　然而g-C3N4单独作为催化剂具有很多缺陷，如光生载流子（e- - h+ ）易于复合，降低了光生载流子的利用率，进而降低了光催化反应的活性[3]。文中通过论述g-C3N4和合适的半导体复合，形成异质结结构，进而增强光生e- - h+对的分离速率，进而增强光生电子光催化还原水制备氢气的效率。。 　　2、基于g-C3N4半导体异质结结构研究 　　2.1、 异质结结构机理研究 　　g-C3N4和具有合适能级的半导体相互结合时，可形成异质结结构，加速电子和空穴的分离速率。复合半导体的能级结构间必须满足以下条件：（1）半导体的导带位置更正。电子可以从g-C3N4的导带能级转移至复合半导体的导带能级;（2）半导体的价带位置更负。空穴可从g-C3N4的价带能级转移至复合半导体的价带能级;或者（3）半导体的导带和价带能级均比g-C3N4的能级更正，这样可以实现电子由g-C3N4的导带能级转移至复合半导体的导带能级，空穴从半导体的价带能级转移至g-C3N4的价带能级。 　　g-C3N4的禁带宽度较宽2.7eV，超过了大部分反应所需能量（如光催化分解水制备氢气的能量E = 0 eV， 制备氧气的能量 E = 1.2 Ev）[4]。g-C3N4独特的电子结构及二维层状结构使其易于和其它半导体复合（1）由于g-C3N4本身对可见光具有响应，所以和其复合的半导体的能级结构易于选择，不受能级带宽的影响;（2）g-C3N4的层状结构使得和复合半导体的接触范围增大，易于形成异质结结构。因此在保持足够的过电位使预期反应得以进行的前提下，通过设计提高光生电子和空