应力-强度干涉模型在功率半导体器件失效分析中应用.pdfVIP

2016年第 1期 应力一强度干涉模型在功率半导体器件 失效分析中的应用 张西应，颜 骥，任亚东 (株洲南车时代电气股份有限公司，湖南 株洲 412001) 摘 要：功率半导体器件发生机械应力失效的直接原因是外部应力大于器件 自身强度，并间接引发器件上电应 力或者热应力过载，最终造成器件损坏。文章结合机械可靠性理论中应力．强度干涉模型，以晶闸管为例对其机械 应力失效的物理过程和失效机理进行解释 ，得出失效分析和可靠性设计的工程计算方法，并结合测试 中发生的晶闸 管失效案例对该分析计算方法的可行性和有效性进行 了验证。 关键词：晶闸管；机械应力；干涉模型；失效模式；可靠性；正态分布 中图分类号 ：TN303 文献标识码 ：A 文章编号 ：2095—3631(2016)01—0034—05 doi：10．13889／j．issn．2095—3631．2016．01．008 ApplicationofStress—strengthInterferenceM odel inFailureAnalysisofPowerSem iconductorDevice ZHANG Xiying，YAN Ji，REN Yadong (ZhuzhouCSRTimesElectricCo．，Ltd．，Zhuzhou，Hunan412001，China) Abstract： ’I’hedirectreasonofpowersemiconductordevicefailurefrom mechanicalstressISthatou~idestresscomesbiggre thanthe strengthofhtedevice，whichindirectlycausesuploadofelectricitystressorheatstressandultimatelybringsaboutfailureofthedevice．Combining htestress-strengthinterferencemodelinmechanicalreliabilityhteory,htephysicalprocessandmechanism ofthyrisotrfailurerfom mechanical stresswereexplaniedbytakingthehtyristorasanexample，nadtheengineeringcalculationinfailureanalysisnadreliabilitydesignwereobtainde． Moreove~htefeasibilitynadeffcetivneessofthiscalculationmethodwereverifide onhtebasisofthyrisotrfailurecaseduringhtetest． Keywords：thyristor；mechnaicalstress；interferencemodel；failuretype；reliabiliyt；normaldistribution 0 引言 流进一步集中，最终导致元件过热击穿或烧损。 本文以500A晶闸管元件为例，研究机械应力造 半导体器件发生失效往往伴随有多种应力的综合影 成失效的物理过程及失效机理。试验证明，对于 500A 响，其中通常是机械应力起到先决和诱导的作用 。例如 的晶闸管元件 ，当压装压力从 5kN增加到 10kN左右 晶闸管过电压击穿或大电流烧蚀失效的主要原因是热量局