0.18μm低压高速高psrr集成运放芯片设计 a 0.18 μm low-voltage and high-speed integrated op-amp with high psrr.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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0.18μm低压高速高psrr集成运放芯片设计 a 0.18 μm low-voltage and high-speed integrated op-amp with high psrr

VoL 第4l卷第1期微电子学 41，N0．1 2011年2月 MZcrDefecfrD聘ics Feb．2011 8 0．1 ltm低压高速高PSRR集成运放芯片设计赵秋明，赵明剑，王卫东 (桂林电子科技大学信息与通信学院，广西桂林541004) 1．8V 摘要：基于0．18肚m CMOS标准工艺，设计了一个低压、高速、高稳定性、高电源抑制比的集成运算放大器芯片。设计中，采用密勒补偿电容，结合调零电阻补偿技术、集成三支路基准电流源高输出阻抗电流分配电路及一种自偏置和预校准偏置电压源，有效地提高了系统的速度和带宽，并具有优良的电源抑制比。利用Cadence Spectre仿真器，对芯片版图进行后端仿真验证。当负载电阻为100kQ、负载电容为2pF时，芯片功耗4mw，单位增益带宽900MHz，电源抑制比一100 dB，开环直流电压增益68dB，相位裕度102。，建立时间4．5as，压摆率240 V／／卫s，输出摆幅 o．116～1．6 V。仿真结果表明，该芯片可应用于中频、低频段的模拟电路系统，尤其适用于处理微弱信号的高性能电子系统。关键词：运算放大器；密勒补偿；调零电阻；三支路基准电流源；预校准中图分类号：TN492 文献标识码：A A 8 and with PSRR 0．1 Low-Voltagemgh-SpeedIntegratedOp-AmpHilgh pLm ZHA0 Qiuming，ZHA()Mingjian，WANGWeidong (Guilin Electronic 541004。P．R．C抗ina) Universityof Technology。Guilin，Guangxi Abstract：A aM with and R5RRwasde- low-voltagehigh-speedintegratedoperationalamplifierhiIghstabilityhigh 0．18“rn1．8VCM㈣standard this currentreferenceand signed酬on technology．Indesign，tri-branch self-biasing bias soufcewere Miller wasusedincombinationwith pre-regulatorvoltage integrated，andcompensationcapacitor zeroing resistor to circuit and achieveexcellent磷；RRPostsimula— compensationtechniqueeffectivelyimprovespeedstability。and tionwithCadence’S showedthat，under100k12loadresistanceand2 load circuithad Spectre