3d ic受热载荷作用下的数值模拟 a finite element simulation for 3d-ic under thermal loads.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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3d ic受热载荷作用下的数值模拟 a finite element simulation for 3d-ic under thermal loads.pdf

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3d ic受热载荷作用下的数值模拟 a finite element simulation for 3d-ic under thermal loads

★ 3D-C受热载荷作用下的数值模拟杜秀云·．．，唐祯安t (1．大连理工大学电子信息工程学院，辽宁大连116024； 2．辽宁师范大学物理与电子技术学院，辽宁大连116029) 摘要：针对基于硅通孔技术的3DIC在工作过程中的受热问题，利用热弹性力学理论建立了三维有限元数值模拟分析模型，对结构进行了热分析，同时探讨了器件由此产生的热应力。计算结果表明，由芯片到底面的热通路为散热的主要通道，其它表面的对流条件对热场分布影响不大；芯片与通孔接触面的边角处有应力集中，在热载荷的长期、交变作用下容易发生开裂、失效。关键词：3D；热应力；温度场；有限元；硅通孔中图分类号：TP391．9 文献识别码：A A Element for3D—ICunderThermal Finite Simulation Loads DU Zhen—aIll Xiu—yunL2，TANG of of 1l Electmnic (1 En西neering，DalianUniversityTechnology，Dalian6024，Chi眦， Depanment 0f 2School Elec咖nic No肋al University，Dalian Physics肌d Technology，Kaoning 116029，China) A‰渤?钏ct：3Dfin“eekmentsi肌llat沁n埘deIshaveh孢nestablisIIed sili∞咀via栅cturesof3D f＆through circuits．B鹊edontheheat of tlle field明dthethe唧alinduced inte础d dissipationworkingprocess，temperature stressesof3DICstmcturesareobtainedthemal numericalresultsindicatetllattheheat by simul觚on锄alysis．The f而m tothebonomsurf如eist}lemainf曲tlleheat whilet}leconvection path chip way dissipation， co芒I伍cient印plied 伽tlleodler sud‰eh嬲lime硪bct∞tlle nes讹ssconcenh．ati帆0ccursintlle outer ten耻妇tu陀distribution． inte五∞ebe伽eentlleSi锄dtheCu aree船iertocrack tIle珊alloads． vi鼬．They under long—te瑚altemating Key咖rds：3D；tllenIlals骶sses；temperaturefield；finiteelement舭sh；fI’SV； ·基金项目：国家自然科学基金重点项目 441篁箜!塑塑!I盈衄万方数据