大功率半导体激光器阵列的稳态和瞬态热行为 static and transient thermal behavior of high power semiconductor lasers.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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大功率半导体激光器阵列的稳态和瞬态热行为 static and transient thermal behavior of high power semiconductor lasers.pdf

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第36卷第8期中国激光 V01．36，No．8 2009年8月 CHINESE 0FLASERS August，2009 JOURNAL 文章编号：0258—7025(2009)08一1957—06 大功率半导体激光器阵列的稳态和瞬态热行为袁振邦1 王警卫2 吴迪3 陈旭1 刘兴胜2’3 f 1天津大学化工学院，天津300072 1 2中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家蕈点实验室，陕西西安710119 【 3西安炬光光电科技有限公司，陕西西安710119 J 摘要大功率半导体激光器的应用日益广泛。随着激光器光功率的不断增加，其结温也在急速上升。激光器结温的升高不仪会导致寿命、斜率效率和功率F降，阈值电流增大，而且会引起波长漂移，光谱展宽等，因此开展半导体 W，激光器热没计和热优化的研究显得越来越霞要。用数值模拟和实验相结合的方法对单巴(bar)条CS封装的60 808 nm半导体激光器连续工作时的稳态和瞬态热行为进行分析研究，定量确定了半导体激光器的温升及其构成，以及器件的时间常数。此外，还对半导体激光器件做了热优化，并在分析结果的指导下做出了各项性能指标均优良的半导体激光器阵列器件。关键词激光器；半导体激光器；热行为；有限单元法；激光器巴条；可靠性中图分类号TN248．4文献标识码A doi：lO．3788／CJ1957 Lasers StaticandTransientThermalBehaviorof PowerSemiconductor High Yuan WuDi3ChenXulLiu Zhenban91WangJingwei2 Xingshen92’3 1 SchoolChemical 300072，China of University，Tianjin EngineeringTechnology，Tianjin 2 Precision State TransientandPhotonics。Xi’anInstitute and Mechanics， KeyLaboratoryof Optics ofOptics Chinese Sciences，施’an，Shaanxi710119，China Academyof 3 Xi’an Co．Ltd．，Xi’an，Shaanxi710119，China Focusl匆htOptoelectronicsTechnology havefound in areas．The Abstract semiconductorlasers junction