单轴应力下热氧化sio2的介电电致伸缩系数研究 study of the dielectrostriction coefficient of thermal sio2 subjected to the uniaxial stress.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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单轴应力下热氧化sio2的介电电致伸缩系数研究 study of the dielectrostriction coefficient of thermal sio2 subjected to the uniaxial stress.pdf

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单轴应力下热氧化sio2的介电电致伸缩系数研究 study of the dielectrostriction coefficient of thermal sio2 subjected to the uniaxial stress

材料与结构 MaterialsandStructures 单轴应力下热氧化Si02的介电电致伸缩系数研究董维杰h，陈小卫h，崔岩埔，黄见秋2 (1。大连理工大学a．电子科学与技术学院；b．精密与特种加工教育部重点实验室， 210096) 辽宁大连 116023；2．东南大学MEMS教育部重点实验室，南京摘要：微机电系统和集成电路中常用的热氧化SiO：是各向同性材料，研究了其在单轴应力场中介电常数的变化规律。依据介质在自由和束缚两种边界条件下受到单轴应力作用产生的应变不同，从电动力学基本关系出发推导了各向同性电介质两种边界下的介电电致伸缩系数计算公式，表明介电电致伸缩系数是与电介质的初始介电常数、杨氏模量和泊松比有关的常数。计算得到热 x 氧化SiO：薄膜在自由和束缚条件下的介电电致伸缩系数M，2分别为一0．14310q1和一0．269x 10。21 m2／v2。搭建了基于三维微动台的微位移加载系统，测量了在单轴应力下微悬臂梁SiO：薄膜电容的变化，测量得到热氧化SiO：薄膜的M，：为(一0．19±0．01)×10。21m2／v2，表明实际 SiO：薄膜介质层的逸界条件处于自由和束缚之间。关键词：SiO：薄膜；介电电致伸缩系数；微悬臂梁；单轴应力；机械边界条件 oftheDielectrostrictionCoefficientofThermal Study Si02 ectedtotheUniaxialStress Subj Xiaowei“，Cui DongWeijie“，Chen Yan”，HuangJianqiu2 (1．a．SchoolElectronicScienceand PrecisionandNon—Traditional of Technology；b．KeyLaboratoryfor Education，DalianUniversity 1 16023，China} MachiningTechnologyofMinistryof ofTechnology，Dalian MEMS Education，Southeast 210096．China) 2．KeyLaboratoryof ofMinistryof University。Nanjing in Abstract：Thethermal usedMEMSand circuitsisan dielectric Si02widely integrated isotropic dielectricvariationintheuniaxialstressfiledwas tOthefactthat material，its studied．According dielectricmaterialstrainsaredifferentwiththeuniaxialstressundernonconstrainedandcon— basedonthebasicrelationsof the strained conditions，and