电子束光刻制备5 000 linemm光栅掩模关键技术研究 key technology for fabrication of 5 000 linemm gratings mask by using e-heron lithography.pdfVIP

第4期 微细加工技术 No．4 2008年8月 MICROFABRICATIONTECHNOLOGY Aug．-2008 文章编号：1003．8213(2008)04．O004．02 000 电子束光刻制备5 line／mm光栅掩模关键技术研究 朱效立，谢常青，赵珉，陈宝钦，叶甜春，牛洁斌，张庆钊，刘明 (中国科学院微电子研究所纳米／jⅡ-r与新器件集成技术实验室，北京100029) 摘要：为了制备高线密度x射线透射光栅掩模，分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响；利用几何 校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂，克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响。采用电 000line／mm 子束光刻和微电镀的方法制备了5 X射线透射光栅的掩模，并将栅线宽度精确控制在100nm。 110 nm，为x射线光刻复制高线密度x射线透射光栅创造了有利条件。 关键词：电子束光刻；x射线透射光栅；邻近效应校正；x射线光刻 中围分类号：TN405 文献标识码：A 了大场的拼接精度，曝光场的畸变决定了子场的拼接精度。 1引言 实验中采用JEOLJBX．5000LS电子束光刻系统。该系统工 件台移动的定位精度由双频激光干涉仪决定，读取精度可以 在国际上，掌握x射线透射光栅制作技术的主要是麻省 达到0．62nm。但为了将工件台的重复定位精度控制在几十 理工学院的空间微结构实验室，该实验室采用全息曝光、反应 纳米甚至几个纳米，需要非常苛刻的环境保证，它要求很低的 离子刻蚀和微电镀技术，承担了AXAF高能透射光栅谱仪中 空间磁场(通常需要安装空间动态补偿系统)、严格的防震措 的中、高能336块x射线透射光栅，其中高能光栅的线密度 施，且环境的温度变化控制在±0．1℃以内。 000 为5 Hne／mmLlJ。在国内，中国科学技术大学的付绍军等 扫描场畸变也是影响图形子场拼接精度的重要因素。如 人也采用全息曝光结合离子束刻蚀技术制作了 果扫描场尺寸发生畸变，拼接处的图形将出现重复曝光、欠曝 000 1 llne／mnff阿12000 line／mm的x射线透射光栅L2-3J。多 光甚至错位的现象。在进行曝光之前，通常需要对系统进行 年来，受电子束场拼接和电子束邻近效应的影响，人们难以利 台面标记初始化、电子束偏转校正和场畸变检测校正等操作。 用电子束光刻技术制作高线密度、厚金吸收体的光栅。中国 其中扫描场畸变校正的原理是把扫描场分成／i．×n个格点， 科学院微电子研究所采用电子束光刻和x射线光刻相结合 通过测量每个格点的坐标，以确定场畸变的大小，并以此为依 000line／mm 的技术研制成功了5 X射线透射光栅。该技术 据进行场畸变校正。场畸变数值越小，说明子场拼接精度越 既充分利用