硅栅干法刻蚀工艺中腔室表面附着物研究 study of resultants on the chamber wall in the process of dry etching of silicon gratings.pdfVIP

第2期 微细加工技术 No．2 2007年4月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOGY Apr．，2007 文章编号：1003—8213(2007)02．0045—04 硅栅干法刻蚀工艺中腔室表面附着物研究 张庆钊，谢常青，刘明，李兵，朱效立 (中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室，北京100029) 摘要：用C12，HBr，02和CF4为反应气体，对多晶硅栅进行了刻蚀试验，并借助X射线能谱仪器 X—rav EnergyDispersive 明，淀积附着物主要是以硅元素为主体，溴、氯和氧次之的聚合物，在淀积的动态过程中，HBr起到 了主要的作用，c12和02在一定程度上也促进了淀积过程的进行，在工艺过程中氟元素起到了清 除淀积物的作用。最后通过试验得到了反应腔室表面附着物淀积的机理性结论。 关键词：等离子体；淀积物；干法刻蚀；EDS 中图分类号：TN405．98+2；TN705文献标识码：A 的过程中，每刻蚀完一块晶片，腔室侧壁上的淀积情 1 引言 况都要发生变化，如淀积物成分和淀积层厚度，而这 些都会影响到下一块晶片与当前片刻蚀结果的一致 对于已经进入65nm工艺节点的半导体集成电 性。这是由于在刻蚀过程中腔室侧壁淀积物会参与 路制造工艺而言，如何有效控制等离子体干法刻蚀 到刻蚀环境的交互作用中去，目前工业上主要靠干 中等离子体的一致稳定性已经变成一个十分棘手的 法清洗来尽量消除这种腔室条件的差异。但是这种 问题。随着硅栅特征尺寸的减小，对栅刻蚀的尺寸 情况不仅体现在每一块晶片之间，而且还存在于刻 容差要求变得越来越严格。按照刻蚀容差的一般要 蚀晶片的每一个批次(25片)之问，这都是由于淀积 求，最终刻蚀尺寸和目标尺寸的容差绝对值应控制 情况的累积效应造成的。目前深入的研究仍面临着 在10％之内，例如对于65nm工艺节点，容差绝对值 很大的困难，腔室侧壁的淀积附着物情况随着刻蚀 E 要小于7nm1|。刻蚀的一致稳定性控制要求不仅 工艺的进行是一个动态变化过程，与被刻蚀材料、反 是针对同一块硅晶片上的不同区域而言，更是针对 应气体和各项工艺参数密切相关12‘10|。本文从实 反应腔室两次湿法清洗之间数百小时的射频工艺过 际的刻蚀制造工艺人手，基于目前硅栅刻蚀工艺中 程而言。也就是说，对于等离子体工艺过程中每一 个可能影响工艺一致稳定性的参数都要进行确认， 生的交互反应，就反应腔室侧壁淀积附着物的一些 并加以有效控制。其中以对反应腔室侧壁上的淀积 情况进行了相应的实验探讨。 附着物的研究最为重要，因为它对刻蚀的环境有着 直接影响，并最终会影响到被刻蚀晶片的片间以及 2试验设计 批次间的刻蚀均匀性，从而对芯片制造的良率和最 终器件性能产生至关重要的影响。在多晶硅栅刻蚀 刻蚀试验采用电感耦合等离子体刻蚀设备，基