单粒子效应模拟实验研究讲述.pdfVIP

　第31卷第3期 原 子 能 科 学 技 术 . 31, . 3 V o l N o 　1997年5月 A tom ic Energy Science and T echno logy M ay 1997 单粒子效应模拟实验研究 李国政　王　普　梁春湖　王燕平 叶锡生　张正选　姜景和 ( 西北核技术研究所, 西安, 710024) 单粒子效应是卫星抗辐射加固研究的主要对象之一。文章重点介绍了所建立的模拟实验测量 系统、装置和研究方法, 提出了二次翻转问题及其修正公式, 以及器件的高能质子和 14M eV 中子 单粒子效应的规律相似性, 指出今后需重点研究的问题是高能质子及其与 14M eV 中子等效研 究, 及对单粒子效应的评估。 关键词　卫星　电子系统单粒子效应　抗辐射加固 宇宙空间存在不同能量的各种带电粒子, 它们可使在轨运行的卫星发生故障, 缩短工作寿 命。试验分析表明: 故障主要是卫星的电子系统在空间带电粒子作用下产生的辐射效应引起 的。这些效应包括: 由地球辐射带和银河宇宙线中高能质子和重离子、以及太阳耀斑发出的高 能质子引起的单粒子效应, 地球辐射带电子和低能质子、以及其它来源的低能带电粒子引起的 累积剂量效应和卫星壳体的充放电效应。统计资料表明: 这些效应引起的故障占卫星故障的绝 [ 1 ] 大部分 。 本研究工作的目的是利用实验室带电粒子源模拟单粒子效应, 建立相应的试验测量手段 和技术, 研究效应的规律性和依赖因素, 分析探讨减少和防止效应发生的技术途径和方法, 为 卫星抗辐射加固技术提供参考。 1　实验内容概述 ( ) 卫星发生故障的情况取决于卫星飞行轨道的辐射 粒子 环境、飞行时间和星上电子系统 ( ) 的抗辐射能力。本工作利用实验室辐射 粒子 源对星上电子线路或器件进行模拟实验研究。单 粒子效应 SEE (Single Even t Effect) , 是单个带电粒子引起数字电路逻辑状态的瞬时或永久损 伤, 包括翻转 SEU (Single Even t U p set) 、闭锁和硬错误。它们的发生几率通常用截面表示, 发 生几率的大小既依赖于粒子的种类和能量, 又依赖电路发生效应的临界电荷, 也就是依赖电路 类型、集成度、工艺结构和偏置电压等。实际上, 上述相互依赖关系正是所要研究的内容。研究 收稿日期:　收到修改稿日期: 第3期　　李国政等: 单粒子效应模拟实验研究 259 结果不仅用以解决卫星的电路或器件评估, 还可提供选用基础和参考。 2　单粒子效应模拟实验方法和结果 2 1　粒子源和入射粒子注量的确定 实验室条件下能够利用的模拟粒子源在国内主要有 14M eV 中子发生器, 35 M eV 质子 252 加速器和重离子加速器, 以及 Cf 源装置。14M eV 中子是在一定空间高度下引起卫星和飞行 器单粒子效应的重要原因。 [ 2 ] 利用西北核技术研究所 K 400 中子发生器在国内率先 进行这项研究。在中子产额为 1 10 - 1 8 13 - 2 ×10 s 时, 通过改