薄膜太阳电池系列讲座17硅基薄膜太阳电池九张晓丹.pdf

下载文档

2
0
约2万字
约 5页
2017-08-25 发布于湖北
举报
版权申诉
保障服务

薄膜太阳电池系列讲座17硅基薄膜太阳电池九张晓丹.pdf

1、本文档共5页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

SOLAR ENERGY 科普苑太阳能薄膜太阳电池系列讲座(17) 硅基薄膜太阳电池(九) 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室 ■张晓丹赵颖熊绍珍光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室三单结硅基薄膜太阳电池的结构和工作原理 p i n 1 硅基薄膜太阳电池结构 Glass 在常规的单晶和多晶太阳电池中，通常用p-n 背反射 E 结结构。但对于硅基薄膜电池，所用的材料通常是 Bi 非晶和微晶材料，由于非晶硅内存在大量尾态和悬挂键等缺陷态，载流子的迁移率很低，扩散系数 TCO a-Si 也很低。如果采用通常的p-n 结的电池结构，光生 a. p i n 载流子在n 型和p 型中性掺杂区的扩散运动非常 1.5 Near-dark 小，将直接影响短路电流。此外，由于非晶硅p-n h E 1.0 c eV 结耗尽层内也存在着大量的缺陷态，会导致势垒 V 0.5 BI e 区内光生载流子的大量复合。为此，硅基薄膜电池 /n 0.0 E F o 摒弃p-n 结结构，而采用p-i-n 结构( 图43) 。这种结 i -0.5 hv t i -1.0 E 构实际上是借用了p-i-n 光电二极管的概念，其中 s V o -1.5 p 、n 掺杂层非常薄