GaAs基_辐射伏特效应微电池参量优化设计研究.pdfVIP

第 卷增刊 原 子 能 科 学 技 术 ， ４６ Ｖｏｌ．４６ Ｓｕ ｌ． 　 ｐｐ 年 月 ２０１２ ９ ＡｔｏｍｉｃＥｎｅｒ ＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏ Ｓｅ ．２０１２ 　 　 ｇｙ 　 　 ｇｙ ｐ 　 　 ＧａＡｓ基 辐射伏特效应微电池的 β 参量优化设计研究 １ １ １ ２ １ １ ， ， ， ， ， 刘云鹏 汤晓斌 丁 丁 谢 芹 陈飞达 陈 达 　 　 　 （ ， ； ， ） 南京航空航天大学核科学与工程系 江苏南京 兰州大学核科学与技术学院 甘肃兰州 １． ２１００１６ ２． ７３００００ 　 　 ６３ ： ， 　 摘要 考虑放射性同位素源自吸收效应 提出基于半导体材料 ＧａＡｓ和同位素源 Ｎｉ的微电池最优化设 ， ， 计方案 并通过蒙特卡罗程序 ＭＣＮＰ 模拟计算 粒子在半导体材料中的输运过程 对同位素源与半导 β ， 、 、 、 ， 体材料的厚度 换能单元 ＰＮ结结深 耗尽区宽度 掺杂浓度 少子扩散长度 及电子空穴对的产生及收 ７ 　 ， ， 。 ， 集情况等进行了研究和分析 给出了不同结深下 各物理参量的最佳设计值 在源活度为 ３．７×１０ Ｂ ｑ ２ ， ： ＰＮ结表面积为０．０１ｃｍ 时 提出的辐射伏特效应微电池最优化设计方案可实现 短路电流密度为