InGaAs薄膜表面的粗糙化过程-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 3 (2013) 036802 InGaAs 薄膜表面的粗糙化过程* 12 13 1 1 1 1 1 1† 罗子江 周勋 王继红 郭祥 张毕禅 周清 刘珂 丁召 1) ( 贵州大学理学院, 贵阳 550025 ) 2) ( 贵州财经大学教育管理学院, 贵阳 550004 ) 3) ( 贵州师范大学物理与电子科学学院, 贵阳 550001 ) ( 2012 年6 月18 日收到; 2012 年8 月28 日收到修改稿) 采用 STM 分析 InGaAs 表面形貌演变研究 InGaAs 表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程, 特别针对 In015Ga085As 薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究. 发现In015Ga085As 薄膜在不同的衬底温度和As 等效 束流压强下表现出不同的预粗糙化过程. 在低温低As 等效束流压强下, 薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演 变成粗糙的过程, 起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式, 随着退火时间的延长, 大量坑和岛的共同形成促使表 面进入粗糙状态; 在高温高As 等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛, 退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达 到平衡态, 表面形貌将长期处于预粗糙状态. 关键词: InGaAs 薄膜, 粗糙化, 预粗糙化 PACS: 68.37.Ef, 64.60.−i, 68.35.Ct DOI: 10.7498/aps.62.036802 糙化和预粗糙化现象对于材料生长, 材料的物理特 1 引言 性都有着重要的影响, 如何控制III-V 化合物材料 表面粗糙化和预粗糙化过程的研究将为高质量地 粗糙化过程是指晶体表面在温度升高时由平 生长量子线, 量子点结构提供明确的理论和实验指 坦变为多层岛堆叠或多层岛、坑共存的状态. 在 4 导 . 目前, 国际上关于InGaAs 材料的研究主要 材料表面粗糙化的过程中, 传统的 solid on solid 5 6 集中在InGaAs 材料量子线 、量子点 的制备、 (SOS) 模型仅仅考虑表面原子最近邻相互作用, 从 7 表征, 光电子器件 的制备以及材料表面原子的重 而得出材料表面将直接从平坦进入粗糙的结论. 8 den Nijs12 在restricted solid on solid (RSOS) 模型 构 等方面. 在研究InGaAs 表面时, 虽然发现粗 糙化现象, 但并没有深入探讨研究粗糙化的原因更 中考虑了次近邻相互作用, 从理论上认为晶体表 没有研究预粗糙化过程. 在InGaAs 的表面是否也 面形貌的演变可能是从有序平