嵌入式课件应用部分-最小系统简介及存储器介绍(11.11).pptVIP

应用部分 主要内容 S3c44b0x简介 嵌入式最小系统 存储器控制器 时钟与功耗管理 DMA I/O端口 PWM定时器 通用异步收发器 中断控制器 S3c44box存储控制器特点 支持大、小端模式（通过外部引脚来选择）； 存储器和I/O统一编址，采用字节编址，每个单元为一个字节（8位），一个单元一个地址 地址空间：包含8个地址空间，每个地址空间的大小为32M字节，总共有256M字节的地址空间； 大小端模式选择 大/小端、数据总线及存储器 2、FLASH模块设计 FLASH模块简介 FLASH器件简介 FLASH硬件设计 FLASH操作与软件设计 Nor Flash特点 Nand Flash特点 flash硬件连接 Am29LV160 假如S3C44B0X的bank0实际配置的容量为8M,数据总线宽度为16位，使用的flash芯片内部构成为4M*8位，如何实现引导ROM的链接？ 4、flash操作及软件设计 3、SDRAM模块设计 SDRAM模块简介 SDRAM器件简介 SDRAM硬件设计 SDRAM操作与软件设计 SDRAM 简介 SDRAM的工作过程和操作命令 1、芯片初始化 SDRAM 在加电100-200us后，必须由一个初始化进程来配置SDRAM的模式寄存器，这个过程称为MRS（Memory Register Set） 2、行地址选通操作 nRAS引脚信号引发行有效操作 从行有效到读/写命令发出之间的间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲），大家也可以理解为行选通周期。tRCD是SDRAM的一个重要时序参数 ，以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位 3、列读写（对列地址进行寻址） 在SDRAM中，行地址线与列地址线复用，SDRAM没有明确的读操作或写操作命令，通过芯片的new信号实现读/写控制。 相关的列地址被选中之后，将会触发数据传输，但从存储单元中输出到真正出现在内存芯片的 I/O 接口之间还需要一定的时间（数据触发本身就有延迟，而且还需要进行信号放大），这段时间就是非常著名的 CL（CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期） 4、突发传输 在嵌入式处理器上配接SDRAM 在处理器支持SDRAM的情况下 ： 确定SDRAM地址空间在系统总地址空间的位置； 完成特定SDRAM和CPU之间的正确连线； 在系统的启动代码中设置SDRAM的相关的特殊寄存器 SDRAM硬件设计 存储器设计 硬件连接（FLASH,SDRAM） 软件设置 数据总线宽度 存储器类型 对存储器进行操作的时序控制 S3c44b0x存储控制器的特殊功能寄存器 总线宽度与等待状态控制寄存器（表5.10） 功能：使用UB/LB与否 支持WAIT状态与否 分别设置bank7-bank1的总线宽度 Bank控制寄存器 刷新控制寄存器（表5.14） 地址空间的分配 片选信号的设置 存储器编程注意事项 首先要对存储控制器进行初始化，程序运行时的数据空间和堆栈空间都在SDRAM，如果没有正确的初始化，系统就无法正确的启动。 所有的存储控制寄存器必须使用STM 指令设置。 CRWramtest 实验 根据例程熟悉存储器的操作，分别使用汇编程序和c语言程序实现读/写RAM连续空间的程序，并完成实验报告，报告中包含自己编写的程序源代码以及实验结果。 1*16位*4BANKS 如果要扩展的是4M*32的存储器区，如何连接？ 对ROM进行操作的时序 对SDRAM进行操作的时序 对SDRAM进行刷新的时序 存储控制器所实现的功能寄存器的设置来进行： 总线宽度/等待控制寄存器（BWSCON） 表5.10 p187 Bank控制寄存器(BANKCONn: nGCS0-nGCS5) Bank控制寄存器(BANKCONn: nGCS6-nGCS7) 刷新控制寄存器（REFRESH） BANK大小寄存器（BANKSIZE）（用于bank6/7) 模式设置寄存器（MRSR）(用于bank6/7) 各位的设置决定了在nGCSn有效之前地址建立时间和在noe上芯片选择建立时间（ 表5.11） 0x0E00_0000~0x1FFF_FFFF BANKCON7 nGCS7 NO USE 0x0A00_0000~0x0BFF_FFFF BANKCON5 nGCS5 NO USE 0x0800_0000~0x09FF_FFFF BANKCO