真空蒸发法制备sns薄膜及其光电性能研究 characterization of the sns thin films deposited by vacuum evaporation.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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真空蒸发法制备sns薄膜及其光电性能研究 characterization of the sns thin films deposited by vacuum evaporation.pdf

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真空蒸发法制备sns薄膜及其光电性能研究 characterization of the sns thin films deposited by vacuum evaporation

光电子 ·激光第卷第期年月 17 7 2006 7 VOl.17 NO.7 Jul.2006 Journalo O toelectronics Laser f p % 真空蒸发法制备SnS薄膜及其光电性能研究% % % 邱永华 !史伟民!魏光普!徐环!林飞燕上海大学材料科学与工程学院上海 200072 摘要采用真空蒸发法在载玻片上制备了SnS薄膜分析表明此法制备的SnS薄膜的导电类型为 p 型在晶面上有很强的择优取向其晶粒呈棒状平均长度约为薄膜中的与原 111 0.2 0.3 m S Sn ~ u 子非常接近化学计量比在吸收边附近薄膜的吸收系数约为 5 -1 光学能隙约为电阻 10 cm E 1.35 eV g 率约为 240 0 cm 比其它方法制备的SnS薄膜其在光学与电学性能上有较大的改善更适合做薄膜太阳能电池的吸收层成功制备出了结构的太阳电池其光电转换效率达 ITO -SnS n-Si Ap g 0.71 关键词 SnS 薄膜真空蒸发法太阳电池中图分类号! 文献标识码! 文章编号! O484.4 A 1005-0086 2006 07-0817-04 CharacterizatiOn Of theSnSThin FilmsDe Osited b Vacuum Eva OratiOn