阵列化laps的结构设计及特性研究 structure design and characteristics research of laps array.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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阵列化laps的结构设计及特性研究 structure design and characteristics research of laps array.pdf

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阵列化laps的结构设计及特性研究 structure design and characteristics research of laps array

第284第4期固体电子学研究与进展 v01．28，No．4 2008年12月 RESEARCHPROGRESSOFSSE De。。，2008 阵列化LAPS的结构设计及特性研究。戴春祥孙颖” 朱大中 (浙江大学信息与电子工程学系，杭州，310027) 2008—01—14收穑．2008—03—24收改稿摘要：为了降低阵列化光寻址电位传感器(LAPS Array)非敏感区域的嗓声干扰，提出一种新的结构，对非敏感区域进行重掺杂，并在其表面生长厚氧化层。用同样的激光束照射，非敏感区域的光电流比敏感区域降低20dB 以上。针对阵列化LAPS的特点，研究了电极位置变化、光源强度变化对测量结果的影响。给出了阵列化LAPS在不周应用中电极位置设置的建议．同时表明用LED作为阵列化LAPS的激励光源是合理的。关键词：阵列化光寻址电位传感器；噪声抑制；P+扩散；归一化中图分类号：TP212．3文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2008)04—488—05 StructureandCharacteristicsResearchofLAPS Design Array DAI SUN ZHU ChunxiangYing Dazhong ScienceandElectronic ofInformation (Department Engineering，Zhejiang thenoiseinteHerenceofnon—sensitivenovelstructureof Abstract：For area，a reducing PotentiometricSensor in Light—Addressable Array(LAPSArray)isproposed．Withheavydoped areaand dioxideon noise non—sensitivethick surface，the ofLAPS corresponding rejection Array is thesamestimulated ofnon—sensitiveareais improved．Using light，thephotocurrentamplitude smallerthan addition。the much sensitivearea(1essthan一20dB)．In ofelectrode impact position and wereresearched．Theresultsinduce forelectrodein intensity light proposal designapplica— tions