正装、倒装结构gan 基led提取效率分析 analysis of light extraction efficiency for face-up and flip-chip gan-based led.pdfVIP

下载本文档

3
0
约1.27万字
约 4页
2017-08-27 发布于上海
举报
版权申诉

正装、倒装结构gan 基led提取效率分析 analysis of light extraction efficiency for face-up and flip-chip gan-based led.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

正装、倒装结构gan 基led提取效率分析 analysis of light extraction efficiency for face-up and flip-chip gan-based led

第30卷第3期电子器件 V01．30No．3 2007年6月 e}lineseJ0umal()fElectmnDev{ces Jun．2007 0f and Um。 An甜ysisIj曲tE姐ractiI呲EmcieIN了fIor胁Upl；1ipChip阱丑bsed LjUZ矗i—qin订g，WrANGLi以”g—c^g，z tlHst矗uteSe斡矗c硼dtcctor，Chinese 10QQ83，China) of Acnde}n¨ofscience，Be西ing crucialfactorsof extraction forGaN-based diodeswere Abst瑚Ict：The light efficiency lightemitting anaIyzed fromthe of and view。Basedontheresultoftheoretical ex— pointsgeometricphysical analysis，thelight tractioneffi of and I。EDweresimulatedmeansofMonte_Carlometh— ciencyface_upflip．chip by raytracing od．Theresultindicatedthat structurecan the ofGaN—basedI。ED，with flip—chip improveefficiency respect to structurecan extraction afactorof1．39～1．16 face—upstructure，flip—chipimprovedlight efficiencyby the of from P—contact 0．6to0．9． consideringtransmissiVitytransparent 1ayerchange based words：GaN extraction Key I。ED；light efficiency；Monte—carlo；simulation EEACC：4260D 正装、倒装结构GaN基LED提取效率分析* 刘志强，王良臣 (中科院半导体研究所集成技术中心，北京100083) 摘取效率提高39％～16％．关键词：GaN基I。ED，提取效率，Monte_carlo，模拟中图分类号：TN312．8 文献标识码：A 作为新一代环保型固态光源，GaN基I．ED已件结构设计的进步，内量子效率已经可以达到80％成为人们关注的焦点．与传统光源相比，I。ED具有左右H引．但受GaN材料吸收、电极吸收，以及GaN／寿命长、可靠性高、体积小、功耗低、响应速度快、易空气界面全反射临界角等因素影响，传统正装结构于调制和集成等优点．在信息显示、图像处理等领域 I。ED的光提取效率只能达到百分之几，仍然有很大得到广泛应用，并有望替代白炽灯、荧光灯，进入普提升空间．近年来出现了另外一种器件结构，即所谓通照明领域．目前，GaN蓝光I。ED发光