直流电沉积制备一维znse半导体纳米材料 dc deposition of znse one-dimensional semiconductor nanomaterials.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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直流电沉积制备一维znse半导体纳米材料 dc deposition of znse one-dimensional semiconductor nanomaterials.pdf

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直流电沉积制备一维znse半导体纳米材料 dc deposition of znse one-dimensional semiconductor nanomaterials

第26卷第7期电子元件与材料 Vbl．26No．7 2007年7月 ELECTRoNICCoMPoNENTSANDⅣ【ATERlALS Jul．2007 直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料曹胜男，郭志超，王光灿 (云南大学物理科学技术学院，云南昆明 650091) 合水溶液中进行直流电沉积了znse半导体纳米线。sPM、TEM测试表明，模板表面形成模孔大小一致、排列规则的阵列。znse纳米线的直径约为60nm，长度约为0．5岬并与模板的孔径和深度一致。在制备过程中，无需去除AAO 的基底，喷金或预镀金属等处理，直接在AAO纳米孔内电沉积，制备纳米线。该方法简单、有效并且容易获得有序的半导体纳米线阵列。关键词：半导体技术；模板；直流电沉积；半导体纳米线阵列中图分类号：0471．4 文献标识码：A 文章编号：100l一2028(2007)07—0014—03 DC ZIlSeone-曲ne璐ionalseⅡliconductor electrodeposi6叩0f CAO Zhi-chao，WANG Sheng-nan，GUO Guang-chan of Scienceand (SchoolPhysics 650091，China) TechnologyYunnanUniversityKunrnjng Abstract：I，ofousanodicaluminumoxide twjceanodjcoxjdationint11es01utionof templates(AAO)werepreparedby were intIlemixedsolutionof and DC in oxalicacid．ZnSenanowires ZnS04、Na2S04H2Se03 prepared by electrodeposition surface andidenticalh01esof meholesofAAO exaIIlinationsshow of fo姗eddiameter tern【plate．SPM、TEM template array full ofabout60 to afterdissolVeAA0．Themeans ZnSe．ZnSenaIlo-wireshaveunifo珊di锄etersnm，and O．5 lengmsup pm thenoor alld aIld of naIlo—wiresneedsnotdissolve ofAAO metal．ne to preparation plate technolog)，issimple，ef!ficienteasy identicalseIlliconductornano—wires prepare ar