1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 高等教育
  5. 研究生课件

Al 掺杂对 HfO2 俘获层可靠性影响第一性 原理研究lowast.PDFVIP

  • 23
  • 0
  • 约2.91万字
  • 约 7页
  • 2017-08-31 发布于天津
  • 举报

Al 掺杂对 HfO2 俘获层可靠性影响第一性 原理研究lowast.PDF

    物理学报掺杂对俘获层可靠性影响第一性原理研究蒋先伟代广珍鲁世斌汪家余代月花陈军宁安徽大学电子信息工程学院安徽省集成电路设计重点实验室合肥合肥师范学院电子信息工程学院合肥年月日收到年月日收到修改稿采用基于软件和密度泛函理论的第一性原理方法研究了俘获层的电荷俘获式存储器中电荷的保持特性以及耐擦写性在对单斜晶中四配位氧空位缺陷和与替位掺杂的共存缺陷体两种超晶胞模型进行优化之后分别计算了其相互作用能形成能电荷态密度以及缺陷俘获能相互作用能和形成能的计算结果表明共存缺陷体中当两种缺陷之间的距离为时结构最稳

    物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 9 (2015) 091301 Al掺杂对HfO 俘获层可靠性影响第一性 原理研究 蒋先伟 代广珍 鲁世斌 汪家余 代月花 陈军宁

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >