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InN半导体材料及器件研究进展 摘要：InN是性能优良的三五族化合物半导体材料，在光电子领域有着非常重要的应用价值，因此一直是国际国内研究的焦点。这里，就InN材料的制备方法、P型掺杂、电学特性、光学特性、高温退火特性、器件的研究应用以及研究的最新进展进行了综述。 关键词：InN 制备 特性 应用 太赫兹辐射 进展 引言：　三族氮化物半导体材料GaN、AlN、InN是性能优越的半导体材料。在光电子器件方面已有重要的应用，在光电集成、超高速微电子器件及集成电路上也有十分广阔的前景。但是因为InN具有低得离解温度，要求低温生长，而作为氮源的NH3的分解温度较高，这是InN生长的一对矛盾。其次，对已氮化銦材料生长又缺少与之匹配的衬底材料，使得高质量氮化銦材料生长特别困难，有没有什么进展。后来的理论研究表明，InN具有极高的漂移速度和电子渡越速度以及最小的有效电子质量。同时电子迁移率也比较高。因此，InN材料是理想的高速、高频晶体管材料。最近研究表明：InN的禁带宽度也许是0.7eV左右，而不是先前普遍接受的1.9eV，所以通过调节合金组分可以获得从0.6eV（InN）到6.2eV（AlN）的连续可调直接带隙，这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电器件。因此，InN有望成为长波长半导体光电器件、全彩显示、高效率太阳能电池的优良半导体材料。理论研究表明，1nN材料在Ⅲ族氮化物半导体材料中具有最高的迁移率（室温下最大的迁移率是14000 平方厘米/V s）、峰值速率、电子漂移速率和尖峰速度（4.3×107cm/s）以及具有最小的有效电子质量m*=0.05m0。这些特性使得InN在高频率，高速率晶体管的应用上有着非常独特的优势。然而，由于InN的制备和检测都比较困难，对其研究和应用还很不完善。尽管如此，随着材料生长技术的不断发展进步以及材料生长工艺的提高，现在已经可以在不同衬底材料上外延生长得到质量较好的InN薄膜单晶材料，同时，由于测量技术的进一步提高，使得InN材料的研究和应用迈进了很大一步。一些相关的应用研究和器件也已有很多报道：如用作异质结场效应管，气体/液体传感器，异质结太阳能电池的透明传导窗口材料，InN/Si p-n结；InN薄膜已经被尝试着作为Li离子薄膜电池的阳极；还有InN热电器件以及太赫兹发射器件；InN的欧姆接触也已经被证实，InN/GaN的肖特基接触也已经实现；对于P型掺杂方面，也取得了显著成果；此外，InN具有很高的折射率(3)，还可以应用到光子晶体的设计中。 鉴于InN材料有如此重要的应用价值以及最近来自国际和国内的诸多报道，本文对InN材料的最新研究进展，包括电学、光学性质及其应用方面做些归纳和总结。 　　 2.InN材料的最新研究进展 2.1InN材料的制备 　　制备高质量的InN体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发InN材料应用的前提。但是，制造InN薄膜有两大困难，一是InN材料的离解温度较低，在600℃左右就分解了，这就要求在低温生长下InN ,而作为氮源的NH3的分解温度较高，要求1000℃左右，这是InN生长的一对矛盾，因此采用一般的方法很难制备单晶体材料，目前制造InN薄膜最常用的方法是MBE、HVPE、磁控溅射、MOCVD技术；二是很难找到合适的衬底，由于InN ?单晶非常难获得，所以必须得异质外延InN薄膜，这就很难避免晶格匹配这个大问题。一般 都是在蓝宝石衬底上先生长氮化物的缓冲层，然后再异质外延InN薄膜，研究表明，GaN缓冲层上生长的InN薄膜比较理想。?　　 当前，等离子体辅助（PA－MBE）技术是优良InN薄膜制备的主要方法。其直接以金属In的分子束作为Ⅲ族金属有机源，利用等离子体辅助增强技术激发NH3或N2作为N源，在衬底材料表面反应生成InN。实验结果充分表明，这种方法制备的InN薄膜质量高，可重复性好：2006年3月，ChadS.Gallinat等人利用等离子体辅助MBE方法在GaN缓冲层上生长了In极化InN，室温下电子迁移率高达2250平方厘米/V s，表面电子积累层密度为5.11×1013cm-2，最厚的InN样品禁带宽度约为0.65eV。随后，G.Koblmuller等人利用等离子体辅助MBE方法利用高质量的GaN模板的氮表面上生长了InN，实现室温电子迁移率高达2370平方厘米/V s。表面电子积累层密度为3×1013cm-2，InN样品禁带宽度约为0.626eV。MBE技术生长可以精确控制外延膜厚度，得到优良的外延材料，但生长的速度较慢，对于较厚要求的外延生长耗时过长，不能满足大规模生产的要求。对于光电器件，特别是LED、LD芯片，一般都采用MOCVD技术。 　　MOCVD技术是以In有机源为金属源，以N