ZnO压电薄膜的性能.docx

ZnO压电薄膜的性能无机非金属材料工程钟史伟摘要：ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，高质量的单晶或c轴择优取向的多晶ZnO薄膜具有良好的压电性质，能够用来制备高频纤维声光器件及声光调制器等压电转换器，在光电通信领域得到广泛的应用。本文综述了氧化锌压电薄膜的性能及其性能影响因素，同时叙述了掺杂铝或者锂氧化锌压电薄膜的特性变化。同时展望了氧化锌压电薄膜性能的广阔应用前景。关键字：氧化锌；压电薄膜；性能；掺杂前言ZnO是一种Ⅱ一Ⅵ族半导体材料，其结构为六方晶体结构,密度为5.67 g/cm，晶格常数u为0.32496 nm，c=0.52065nm.室温下其禁带宽度是3.3 eV,是典型的直接带隙宽禁带半导体。ZnO化学稳定性好,材料来源丰富,价格低廉,通过掺杂具有很好的光电性能,是光电器件极具潜力的材料.例如：掺A1、In 的ZnO薄膜导电性好，透过率高，可以用于平板显示器和太阳能电池的透明电极；C轴取向的ZnO薄膜可以用来制备低损耗的声表面波（SAW）滤波器等。ZnO压电薄膜因其具有机电耦合系数大、插损小、温度稳定性好等优点而被广泛地用于制备声表面波(SAW) 滤波器。现如今最广泛的是利用射频磁控溅射法制造的C轴定向的ZnO薄膜具有很好的压电性，高质量的ZnO压电薄膜在薄膜外观以及微观结构上都有较高的要求。表面应光滑、致密、无微孔和裂缝；微观结构上,应是高度取向生长的多晶薄膜，晶粒细小,极性方向相同,并且堆积紧密.另外,还要求其化学性质稳定，硬度较高，内应力小。氧化锌薄膜的特性依靠于生长的方法和各种参数。未来，为了评估测量的属性必须将氧化锌薄膜应用于真实的应用领域。因此，通过XRD，APM研究了溅射参数工艺对于氧化锌压电薄膜压电性能的影响。1.氧化锌压电薄膜的性能1.1 氧化锌压电薄膜简介ZnO薄膜是一种具有广泛用途的材料，其性质随掺杂组分和制备条件的不同而表现出很大的差异性．目前对ZnO薄膜的研究主要集中在透明导电性压电性、光电性、气敏性、压敏性等方面．通过各种制备工艺和组分配比，在制备具有优良压电性能的ZnO薄膜、具有良好光电性能的透明ZnO薄膜以及具有良好气敏性能的ZnO薄膜传感器材料的研究已取得了很大进展。高密度、定向生长的ZnO薄膜是一种具有良好压电性质的材料。NKZ~yer等研究表明，利用射频磁控溅射法在200.C的Si基片上沉积的c轴定向的ZnO薄膜具有很好的压电性,其0.9GHz附近的高频区表现出很好的电声转换效应及低嵌入损耗(4.9dB)等特征,是制备高频纤维声光器件如声光调制器等压电转换器材料。1.2氧化锌压电薄膜的特性在实验和实际应用中为获得具有优良压电特性的ZnO薄膜，方便应用于实际器件中，薄膜结构基础要求：（1）纳米级的晶粒尺度(10～30nm)；（2）很好的c轴取向；（3）薄膜与基片具有良好的结构匹配；（4）较高的电阻率(JD≥10 Q·cm)下图为制备得到的氧化锌薄膜XRD图谱通过XRD图谱可以看出，在预定的工艺条件下，制备的薄膜均出现，尖锐的ZnO(002)衍射峰，峰位在2θ为34．29°，表明具有C轴择优取向。下图为AFM扫描图用磁控溅射法在不同工作气压和射频功率下制备的ZnO薄膜，通过XRD,AFM分析表明，实验制备的Z n O 薄膜具有很好的压电性质，c 轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响，所以在制备ZnO压电薄膜时，应综合考虑各种工艺参数，制备出高度c 轴取向，结晶度高，表面粗糙度小的高质量的ZnO压电薄膜，进而开发制备出性能优良的压电器件。1.3氧化性压电薄膜的择优取向特性氧化锌的晶体结构属六方晶系的纤锌矿型(wurtzite)，其c轴方向较其他方向具有更大的压电系数.因此制备c轴择优取向的ZnO薄膜是获得高压电性能的关键.研究表明很多方法制备的ZnO薄膜都能够沿c 轴生长.但是ZnO具有Zn2+端面，O2 - 端面的极性结构,其中Zn 原子按六方紧密堆积排列,每个锌原子周围有4 个氧原子,构成[ZnO4]6-配位四面体结构,四面体的一个顶角均指向c轴负方向；相应四面体的底面平行于(0001) 面.由于锌原子与氧原子在c轴方向上不对称分布,ZnO晶体的(0001) Zn 面为正极面：而(0001 ) 面为负极面。所以ZnO的生长方式也决定了其压电特性.通过研究可以看到且薄膜的c 轴取向是[0001]方向。2.掺杂对ZnO压电薄膜性能的研究通常ZnO存在各种缺陷，它们严重影响了半导体材料的电学和光学性能。未掺杂ZnO材料通常表现为n 型导电特性，一般认为是由于氧空位和间隙锌等本征点缺陷的存在而导致的。2.1掺铝氧化锌压电薄膜近年来，由于Al 掺杂的ZnO薄膜(ZAO)具有与ITO 薄膜相比拟的光电性能，即可见光区的高透射率和低电阻率，同