基于标准CMOS工艺的一款宽带限幅放大器芯片设计-Core.PDF

中国集成电路 CIC 设计 China lntegrated Circult 基于标准CMOS 工艺的 一款宽带限幅放大器芯片设计* 1 1 1 2 1, 2, 3 王伟明 ，杨涛 ，高铭坤 ，王云峰 ，郭东辉 （1. 厦门大学物理系，福建 厦门 361005 ； 2. 厦门大学电工系，福建 厦门 361005 ； 3. 厦门睿智微电子技术有限公司，福建 厦门 361005） 摘要：采用SMI C 0. 35μm CMOS 混合信号工艺来设计开发一款适用于SDH STM- 16 的光接收机前端限幅 放大器芯片。该限幅放大器的设计采用了电容中和技术来实现带宽的扩展，可满足2. 5Gbps 速率要求， 芯片电路拥有信号丢失检测和自动静噪功能。芯片版图的参数提取仿真表明：芯片最小输入动态范围 可达2mV，50Ω 负载上的双端输出摆幅约为1400mV ，在3. 3V供电下静态功耗仅为66mW，动态功耗为 pp 105mW，有实际推广价值。 关键词：限幅放大器；电容中和；CMOS 工艺 A Wideband Limiting Amplifier design of Basing on CMOS Technics 1 1 1 2 1,2,3 ， ， ， ， WANG Wei-ming YANG Tao GAO Ming-kun WANG Yun-feng GUO Don-hui (1.Department of Physis,Xiamen University, Xiamen 361005, China; 2. Department of Electronic Engineering ,Xiamen University, Xiamen 361005, China; 3 Xiamen Rich IT Microelectronic Technologies LTD, Xiamen 361005,china) Abstract ：A 2.5Gbps limiting amplifier was realized in SMIC 0.35 μm CMOS mixed signal process for optical receiver ’s front end. This limiting amplifier uses capacitance neutralization technology to improve bandwidth and can satisfy 2.5 Gbps requirement for SDH STM-16 system. The chip also includes detecting lost signals and automatic squelch module. The post-simulation results show that this chip offers an input dynamic range as small as 2 mV, and provides a constant double-end output of 1.4 Vpp over a 50 Ω load. The stat