试验三简易放大器.DOC

單級放大器的設計 目的 單級放大器是放大器設計的基礎，這個實驗是要介紹不同單級放大器的特性，及簡單電阻負載放大器的偏壓設計。 相關知識 1. 共射極放大器 2. 共源極放大器 3. 射極與源極隨耦器 一、雙載子接面電晶體（bipolar junction transistor，BJT）回顧 好久沒碰BJT了，複習一下BJT的特性。一個npn BJT偏壓調在順向活性區（forward active）時，VBE差不多維持在0.7V左右，變化不大，而且這時的IC是IB的?倍。我們還要注意，VCE必須大於0.2V。BJT在順向活性區的簡單電路模型總結如下圖： 簡易小訊號模型如下：分為VCCS和CCCS模型 二、共射極放大器（Common-Emitter Amplifier） 下面我們利用這個簡單的BJT模型瞭解右圖電路的操作： 1. 靜態偏壓分析 這是一個標準的four-resister bias circuit，R1和R2將電晶體Q1偏壓在順向活化區，基極的靜態偏壓約為VB=VCC[R2/(R1+R2)]，這裡假設IB很小，不影響VB之偏壓值。射極的偏壓VE約為VB-0.7V，射極的靜態電流IE=VE/RE，集極電流IC=IE[?/(?+1)](IE（通常?1）。C1為阻隔電容（blocking capacitor），使Q1基級偏壓不受輸入電壓Vin的直流部份影響。 2. 功能分析 假如