单片机原理2.3-1.ppt

16字×8位的PROM 十六条字线 八条位线 20V 十几微秒 编程脉冲 读出时，读出放大器AR工作，写入放大器AW不工作。 写入时，在位线输入编程脉冲使写入放大器工作，且输出低电平，同时相应的字线和VCC提高到编程电平，将对应的熔丝烧断。 缺点：不能重复擦除。 思考：它能存储的信息容量是多少？ 多少个字？共多少位数据？ 三、可擦除的可编程只读存储器（EPROM） （一）紫外线擦除的只读存储器（UVEPROM） 是最早出现的EPROM。通常说的EPROM就是指这种。 1.使用浮栅雪崩注入MOS管（Floating-gate Avalanche-Injuction MOS，简称FAMOS管。） 擦除：用紫外线或X射线擦除。需20~30分钟。 2.使用叠栅注入MOS管SIMOS (Stacked-gate Injuction MOS) 这是一种双译码方式，行地址译码器和列地址译码器共同选中一个单元。每个字只有一位。 （二）电可擦除EPROM(EEPROM或E^2ROM) 用紫外线擦除操作复杂，速度很慢。必须寻找新的存储器件，使得可以用电信号进行擦除。 使用浮栅隧道氧化层MOS管Flotox (Floating gate Tunnel Oxide) 写入（写0） 擦除（写1） 读出 特点：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳米以下），称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时隧道区双向导通。 GC Gf 漏极 当隧道区的等效电容极小时，加在控制栅和漏极间的电压大部分降在隧道区，有利于隧道区导通。 存储单元： 擦除和写入均利用隧道效应 10ms 快闪存储器就是针对此缺点研制的。 （三）快闪存储器(Flash Memory） 采用新型隧道氧化层MOS管。 EEPROM的缺点：擦写需要高电压脉冲；擦写时间长；存储单元需两只MOS管。 1.隧道层在源区； 2.隧道层更薄－－10～15nm。在控制栅和源极间加12V电压即可使隧道导通。 该管特点： 存储单元的工作原理： 1.写入利用雪崩注入法。源极接地；漏极接6V；控制栅12V脉冲，宽10 s。 2.擦除用隧道效应。控制栅接地；源极接12V脉冲，宽为100ms。因为片内所有叠栅管的源极都连在一起，所以一个脉冲就可擦除全部单元。 3.读出：源极接地，字线为5V逻辑高电平。 6V 0V 12V 10 s 0V 12V 100ms 快闪存储器特点：集成度高，容量大，成本低，使用方便。 5V 三、 随机存储器（RAM） 特点：RAM在工作时可随时对任意指定单元进行读或写操作。使用方便、灵活。但切断电源后，所存信息就会丢失。 RAM的结构 1.存储矩阵 2.地址译码：双译码。 3.读写控制电路： 读写控制信号R/ W： 控制电路处于读出还是写入状态。 SRAM的内部结构 SRAM的存储单元 DRAM的存储单元 利用MOS管栅极电容可以暂存电荷的原理制成。因此，存储单元简单，存储容量大。但栅极电容很小，由于漏电的影响，电容电荷保存时间很短。必须定时给电容充电－－刷新、再生。这就需要外围电路配合。 QA？ 作业 P304：1，2，3 P86：7，9 预习单元4和单元5 * 注意：使用超级链接－－【2114】和【六管单元】 单片机原理与应用 723202828 zenithchen@126.com 情景三 解剖单片机 单元一 解剖单片机的I/O口 单元二 单片机的解剖图 补充：单片机的数制和码制 单元三 半导体存储器 单元四 单片机的程序存储器 单元五 单片机的数据存储器 单元六 单片机的特殊功能寄存器 本章知识网络 情景三 解剖单片机 解剖单片机的I/O口 单片机的解剖图 1、单片机外扩存储器芯片时，4个I/O口中用作数据总线的是？ 复习 答：P0口，在总线应用模式下，单片机需扩展外部ROM，P0和P2端用于扩展外部总线以构成8位数据总线和16位地址总线 P85 2、89S51/52单片机的内部硬件包括了CPU、RAM、ROM和定时器/计数器以及并行I/O口、串行口、 、时钟电路，这些部件通过 相连接。 复习 中断源 总线 P85 本章知识网络 情景三 解剖单片机 解剖单片机的I/O口 单片机的解剖图 单片机的数制和码制 数制转换 符号二进制 常用码制 第一节 数制转换 二进制 Binary 十六进制 Hexadecimal 十进制 Decimal 重点掌握整数之间的运算，了解小数之间的运算 预备知识 数制转换表 一、二进制与十六进制的互换 二进制整数转换为十六进制数整数可从小数点开始向左，每四位为一组转换为一位的十