(下册)第1章 半导体的器件.ppt

一、电子技术的发展 电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔不入”，应用广泛！;1904年 电子管问世;半导体元器件的发展;第一只晶体管的发明者 （by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain in Bell Lab）;二、模拟信号与模拟电路;三、电子信息系统的组成;第1章 半导体器件;本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。;§1.1 半导体的导电性能;半导体的导电特性; 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。; Si;本征半导体的导电机理;1.1.2 杂质半导体;N型半导体;P 型半导体;思考： N型半导体中的自由电子多于空穴 P型半导体中的空穴多于自由电子 是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？;当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；;通过特殊的掺杂工艺，使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区，交界处将形成一个特殊的薄层，称为PN结。;（1）由于载流子的浓度差别作用下，多子做扩散运动，电子从 N区P向区扩散，在交界面N区附近留下一些带正电的五价杂质离子，形成正空间电荷区;同样，在浓度差的作用下，空穴从 P区向N区扩散;在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在P区和N区交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子，称为空间电荷区。;PN结;正负空间电荷在交界面两侧形成一个电场，称为内电场; 内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用，即PN结阻碍多子的扩散，这是一方面；;此时少数载流子在内电场作用下有规则的运动， 即PN结另一方面还要加速少子的漂移运动;N;当扩散与漂移作用平衡时;当N区和P区的掺杂浓度不等时：;1.2.2 PN结的单向导电性;-;-;-;内电场增强;此电流称为反向饱和电流，记为IS。;PN 结具有单向导电性; PN 结具有单向导电性;二极管的组成; 一、二极管的组成;二极管导通电路;半导体二极管的类型;2 半导体二极管的伏安特性 ;(1) 整个正向特性曲线近似地呈现为指数形式。;(3) 导通后（即uD大于死区电压后）;2．反向特性 ;(2) 当;3 半导体二极管的主要电参数;4. 反向饱和电流Is;5. 正向电压降UD;二极管的单向导电性;二极管电路分析方法;二极管的应用;限幅电路;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;§1.2.4 特殊二极管;在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。;稳压二极管的主要参数;稳压二极管的应用举例;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;发光二极管、光电二极管、光电耦合器;光电二极管;§1.3 半导体三极管;半导体三极管图片;半导体三极管图片;半导体三极管的类型;基区：最薄， 掺杂浓度最低;电流分配和放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3.三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动规律;特性曲线;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性;2. 输出特性;IB=0;主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;晶体管参数与温度的关系; 练习1： 测??某放大电路中三极管的三个电极A,B,C的对地电位分别为VA=-9V,VB=-6V,VC=-6.2V,试分析A、B、C中那个是基极b，发射极e，集电极c，并说明此三极管是NPN管还是PNP管，硅管还是禇管。 ;练习2：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示;例3－1 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如图。试判断各晶体管的类型