半导体器件介绍.pdfVIP

简介 晶体二极管 双极型晶体管 场效应晶体管 单击添加副标题 简介 半导体器件通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测 光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件（即晶体二极管）的基 本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能 用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。 晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两 类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微 波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体 管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号， 又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。 晶体二极管 晶体二极管 晶体二极管的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。 在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而 形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平 衡状态。当PN结的P端（P型半导体那边）接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子 都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。 如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流 被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN 结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场 很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几 个数量级。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极管，以及没有PN结的肖脱基二极管 和耿氏二极管等。 双极型晶体管 双极型晶体管 它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一 薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集 电极。接在基区上的电极称为基极。在应用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏 置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到 集电结而形成集电极电流， 场效应晶体管 场效应晶体管 它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的 功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。 根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种： ①结型场效应管(用PN结构成栅极)； ②MOS场效应管（用金属-氧化物－半导体构成栅极,见金属－绝缘体－半导体系统）； ③MES场效应管（用金属与半导体接触构成栅极）;其中MOS场效应管使用最广泛。尤其 在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般 用在GaAs微波晶体管上。