固体与半导体物理(第七章).pptVIP

C:表面势为 D:空间电荷层能带弯曲 电子势垒 空穴势阱 n型 P型 （2） n型 P型 A:电子从表面态转移到体内 －表面施主态 B:负空间电荷层 C:表面势 D:电子势阱 空穴势垒 n型 P型 空穴 势垒 电子 势阱 3.空间电荷层内载流子浓度的变化 体内 在空间电荷层内，电势能 变化 4.表面空间电荷层的三种基本状态 （1）积累层 能带从体内到表面上弯 以p型为例 空间电荷层的载流子浓度与体内的关系 空间电荷层处于多子堆积状态 －积累层 （2）耗尽层 能带从体内到表面下弯 空间电荷层处于多子耗尽状态 －耗尽层 －参考能级 反 型 层 耗 尽 层 （3）反型层 {7.3 金属－半导体接触 n型导电性 反型层 耗尽层 热蒸发 溅射 电镀 （1）整流接触 单向导电性 （2）欧姆接触 低电阻的非整流接触 1.金属和半导体的功函数 一.肖特基势垒 功函数 费米能级上的电子逸出体外所作的功 －电子亲和能 －真空能级 功函数不同 费米能级高低不一致 －系统不平衡 载流子流动 形成空间电荷层 自建场 势垒 系统平衡 费米能级一致 2.肖特基势垒高度 肖特基势垒高度 3.金－半接触类型 决定SBD特性的重要物理参数 A:金属与n型半导体接触 电子势垒 n型阻挡层 电子势阱 n型反阻挡层 B:金属与p型半导体接触 空穴势阱 空穴势垒 P 型反阻挡层 P 型阻挡